Пассивные электронные компоненты для электронных компонентов. Допуск 10 %. Емкость 100 nF

• AVX
• X7R
• 2 мм.
• 10 %
• 100 nF
• 50 V
• -55...+125°C
• 0805
• 1.25 мм.

• TDK
• 0.8 мм.
• X7S
• 1.6 мм.
• 10 %
• 100 nF
• -55..+125 °С
• Керамические SMD
• 0603
• 0.8 мм.

• Vishay
• 100 nF
• 50 V
• Керамические выводные
• 10 %
• X7R
• -55..+125 °С
• 5 мм.
• 3,6 мм.
• 6.2 мм.
• 2.3 мм.

• Murata
• 100 nF
• 50 V
• Керамические выводные
• 0603
• 10 %
• X8L
• -55..+150 °С
• 1.6 мм.
• 0.8 мм.
• 0.8 мм.

• WIMA
• 100 nF
• Пленочные
• 10 %
• Полиэфир тетрафталат
• -55..+125 °С
• 15 мм.
• 18x6x12.5 мм.
• THT

Примечание: Рабочее DC напряжение (Uраб DC): 630 В | Рабочее AC напряжение (Uраб AC): 400 В

• Samsung
• 0.8 мм.
• 1,6 мм.
• 0.8 мм.
• 100 nF
• 100 V
• -55...+125°C
• 0603
• 10 %
• X7R

• Walsin
• Керамические SMD
• 100 nF
• 0603
• 10 %
• -55..+125 °С
• X7R
• 1.6 мм.
• 0.8 мм.

• Walsin
• Керамические SMD
• 100 nF
• 0402
• 10 %
• -55..+125 °С
• X7R
• 0.5 мм.
• 1 мм.
• 0.5 мм.

• TDK
• Керамические SMD
• 100 nF
• 0402
• 10 %
• -55..+125 °С
• X7R
• 0.5 мм.
• 1 мм.
• 0.5 мм.

• Murata
• Керамические SMD
• 100 nF
• 1206
• 10 %
• -55..+125 °С
• 3.2x1.6x0.85 мм.
• X7R
• 0.85 мм.
• 3.2 мм.
• 1.6 мм.

• Kemet
• Керамические SMD
• 100 nF
• 1812
• 10 %
• -55..+125 °С
• X7R
• 4.5 мм.
• 3.2 мм.

• Kemet
• Керамические SMD
• 100 nF
• 1206
• 10 %
• -55..+125 °С
• X7R
• 3.2 мм.
• 1.6 мм.

• Kemet
• Керамические SMD
• 100 nF
• 0805
• 10 %
• -55..+125 °С
• X7R
• 2 мм.
• 1.25 мм.

• Hongda Electronics
• Керамические SMD
• 100 nF
• 0805
• 10 %
• -55..+125 °С
• X7R
• 2 мм.
• 1.25 мм.

• Epcos/Tdk
• Пленочные
• 100 nF
• 160 В
• 10 %
• -55..+125 °С
• 10x4x8.5 мм.
• Полиэфир тетрафталат (PET)
• THT
• 7.5 мм.

• Murata
• Керамические выводные
• 100 nF
• 10 %
• -55..+125 °С
• X7R
• 5.5 мм.
• 5 мм.
• 7.5 мм.
• 4 мм.