Пасивні електронні компоненти для електронних компонентів. Допуск 10 %. Ємність 100 nF

• AVX
• X7R
• 2 мм.
• 10 %
• 100 nF
• 50 V
• -55...+125°C
• 0805
• 1.25 мм.

• TDK
• 0.8 мм.
• X7S
• 1.6 мм.
• 10 %
• 100 nF
• -55..+125 °С
• Керамічні SMD
• 0603
• 0.8 мм.

• Vishay
• 100 nF
• 50 V
• Керамічні похідні
• 10 %
• X7R
• -55..+125 °С
• 5 мм.
• 3,6 мм.
• 6.2 мм.
• 2.3 мм.

• Murata
• 100 nF
• 50 V
• Керамічні похідні
• 0603
• 10 %
• X8L
• -55..+150 °С
• 1.6 мм.
• 0.8 мм.
• 0.8 мм.

• WIMA
• 100 nF
• Плівкові
• 10 %
• Поліефір тетрафталат
• -55..+125 °С
• 15 мм.
• 18x6x12.5 мм.
• THT

Примітка: Рабоча DC напруга (Uроб DC): 630 В | Рабоча АC напруга (Uроб AC): 400 В

• Samsung
• 0.8 мм.
• 1,6 мм.
• 0.8 мм.
• 100 nF
• 100 V
• -55...+125°C
• 0603
• 10 %
• X7R

• Walsin
• Керамічні SMD
• 100 nF
• 0603
• 10 %
• -55..+125 °С
• X7R
• 1.6 мм.
• 0.8 мм.

• Walsin
• Керамічні SMD
• 100 nF
• 0402
• 10 %
• -55..+125 °С
• X7R
• 0.5 мм.
• 1 мм.
• 0.5 мм.

• TDK
• Керамічні SMD
• 100 nF
• 0402
• 10 %
• -55..+125 °С
• X7R
• 0.5 мм.
• 1 мм.
• 0.5 мм.

• Murata
• Керамічні SMD
• 100 nF
• 1206
• 10 %
• -55..+125 °С
• 3.2x1.6x0.85 мм.
• X7R
• 0.85 мм.
• 3.2 мм.
• 1.6 мм.

• Kemet
• Керамічні SMD
• 100 nF
• 1812
• 10 %
• -55..+125 °С
• X7R
• 4.5 мм.
• 3.2 мм.

• Kemet
• Керамічні SMD
• 100 nF
• 1206
• 10 %
• -55..+125 °С
• X7R
• 3.2 мм.
• 1.6 мм.

• Kemet
• Керамічні SMD
• 100 nF
• 0805
• 10 %
• -55..+125 °С
• X7R
• 2 мм.
• 1.25 мм.

• Hongda Electronics
• Керамічні SMD
• 100 nF
• 0805
• 10 %
• -55..+125 °С
• X7R
• 2 мм.
• 1.25 мм.

• Epcos/Tdk
• Плівкові
• 100 nF
• 160 В
• 10 %
• -55..+125 °С
• 10x4x8.5 мм.
• Поліефір тетрафталат (PET)
• THT
• 7.5 мм.

• Murata
• Керамічні похідні
• 100 nF
• 10 %
• -55..+125 °С
• X7R
• 5.5 мм.
• 5 мм.
• 7.5 мм.
• 4 мм.