Пассивные электронные компоненты для электронных компонентов. Допуск 10 %

• Выводные
• Rohm
• 100 Ом
• 10 %
• 2 Вт
• 5x12 мм.
• Проволочные

• Предохранительные
• 3.5x10 мм.
• 10 %
• 1 W
• 10 Ом
• Проволочные

• 6.35 мм.
• 19.05 мм.
• 10 %
• P
• 15
• 200
• Металлокерамика
• 0.5 W
• 500 V
• Горизонтальная
• 3006
• 1 кОм
• -55..+125°C
• 100 ppm/°
• THT
• Подстроечные
• 4.83 мм.

• Предохранительные
• 3.5x10 мм.
• 10 %
• 1 W
• 22 Ом
• Проволочные

• Vishay
• Танталовые SMD
• 2.2 uF
• 293D
• B
• 10 %
• -55..+125 °С
• 3.8 Om
• 3.5х2.8х1.9 мм.
• 1.9 мм.
• 3.5 мм.
• 2.8 мм.
• 110 mA

• Подстроечные
• Bourns
• 500 Ом
• 10 %
• 0.5 Вт
• 25
• 3296
• -55..+125°C
• 500 V
• THT
• 200
• 100 ppm/°
• Металлокерамика
• W
• 9.5 мм.
• 10.0 мм.
• 4.8 мм.

• 10.0 мм.
• 10 мм.
• 10 %
• W
• 28
• 200
• Металлокерамика
• 0.5 W
• 220 V
• Вертикальная
• T910
• 50 Ом
• -55..+125°C
• 100 ppm/°
• THT
• Подстроечные
• 4.8 мм.

• 4.7 мм.
• 7.0 мм.
• 10 %
• P
• 1
• 200
• Металлокерамика
• 0.5 W
• 500 V
• Вертикальная
• 3362
• 2 кОм
• -55..+125°C
• 100 ppm/°
• THT
• Подстроечные
• 6.6 мм.

• 4.7 мм.
• 7.0 мм.
• 10 %
• P
• 1
• 200
• Металлокерамика
• 0.5 W
• 500 V
• Вертикальная
• 3362
• 1 кОм
• -55..+125°C
• 100 ppm/°
• THT
• Подстроечные
• 6.6 мм.

• 2.55 мм.
• 4.55 мм.
• 10 %
• J
• 1
• 100
• Металлокерамика
• 0.25 W
• 200 V
• Вертикальная
• 3314
• 200 Ом
• -55..+125°C
• 100 ppm/°
• SMD
• Подстроечные
• 4.55 мм.

• Подстроечные
• 4.8 мм.
• 9.5 мм.
• 10 %
• W
• 25
• 200
• Металлокерамика
• 0.5 W
• 500 V
• Вертикальная
• 3296
• 2 кОм
• -55..+125°C
• 100 ppm/°
• THT
• 10.0 мм.

• 7.24 мм.
• 6.71 мм.
• 10 %
• W
• 12
• 200
• Металлокерамика
• 0.25 W
• 300 V
• Вертикальная
• 3266
• 200 Ом
• -55..+125°C
• 100 ppm/°
• THT
• Подстроечные
• 4.5 мм.

• Bourns
• Подстроечные
• 500 Ом
• 19.0 мм.
• 4.8 мм.
• 6.4 мм.
• -55..+125°C
• 10 %
• 100 ppm/°
• 15
• THT
• 200
• P
• 0.75 Вт

Примечание: Расположение оси регулировки: горизонтальное | Материал резистивного элемента: Металлокерамика | | Максимальное напряжение (Umax), В: 500...

• Bourns
• Подстроечные
• 5 кОм
• 6.7 мм.
• 4.5 мм.
• 7.2 мм.
• -55..+125°C
• 10 %
• 100 ppm/°
• 12
• THT
• 200
• W
• 0.25 Вт

Примечание: Расположение оси регулировки: вертикальное | Исполнение оси: минус | Материал резистивного элемента: Металлокерамика | | Максимальное...

• Bourns
• Подстроечные
• 10 кОм
• 6.7 мм.
• 4.5 мм.
• 7.2 мм.
• -55..+125°C
• 10 %
• 100 ppm/°
• 12
• THT
• 200
• W
• 0.25 Вт

Примечание: Расположение оси регулировки: вертикальное | Исполнение оси: минус | Материал резистивного элемента: Металлокерамика | | Максимальное...

• Samsung
• 0.8 мм.
• 1,6 мм.
• 0.8 мм.
• 100 nF
• 100 V
• -55...+125°C
• 0603
• 10 %
• X7R

• Hongda Electronics
• 1.25 мм.
• 2 мм.
• 2.2 uF
• 50 V
• -55...+125°C
• 0805
• 10 %
• X7R

• Hongda Electronics
• 0.8 мм.
• 1,6 мм.
• 10 nF
• 50 V
• -55...+125°C
• 0603
• 10 %
• X7R

• Bourns
• Подстроечные
• 19.0 мм.
• 4.8 мм.
• 6.4 мм.
• -55..+125°C
• 10 %
• 100 ppm/°
• 15
• THT
• 200
• P
• 0.75 Вт

Примечание: Расположение оси регулировки: горизонтальное | Материал резистивного элемента: Металлокерамика | Максимальное напряжение (Umax), В: 500 |...

• Bourns
• Подстроечные
• 10 кОм
• 19.0 мм.
• 4.8 мм.
• 6.4 мм.
• -55..+125°C
• 10 %
• 100 ppm/°
• 15
• THT
• 200
• P
• 0.75 Вт

Примечание: Расположение оси регулировки: горизонтальное | Материал резистивного элемента: Металлокерамика | | Максимальное напряжение (Umax), В: 500...

• Bourns
• Подстроечные
• 2 кОм
• 6.7 мм.
• 4.5 мм.
• 7.2 мм.
• -55..+125°C
• 10 %
• 100 ppm/°
• 12
• THT
• 200
• W
• 0.25 Вт

Примечание: Расположение оси регулировки: вертикальное | Исполнение оси: минус | Материал резистивного элемента: Металлокерамика | | Максимальное...

• 0.6 Om
• Vishay
• 2.8 мм.
• 7.3х4.3х2.8 мм.
• 7.3 мм.
• 10 %
• 100 uF
• 500 mA
• 293D
• -55..+125 °С
• Танталовые SMD
• D
• 4.3 мм.

• AVX
• 1.25 мм.
• 2 мм.
• 2.7 nF
• 50 V
• -55...+125°C
• 0805
• 10 %
• X7R

• Vishay
• Танталовые SMD
• 330 uF
• 593D
• E
• 10 %
• -55..+125 °С
• 0.125 Om
• 7.3х4.3х4 мм.
• 4 мм.
• 7.3 мм.
• 4.3 мм.
• 1100 mA