Електронні компоненти для електронних компонентів

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 319 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 262 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 19ns | Час...

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 60 A
• 30 A
• 187 Вт
• 1.95 V
• є
• 120 А
• 120 А
• 207 нс
• 21 нс
• 38 н

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 165

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 84 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9

• NCE
• TO-247
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 38 A
• 109 mOhm
• 322 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 97 pF / 50 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V

• NCE
• TO-247
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 28 A
• 130 mOhm
• 260 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.3V / 250µA | Ємність затвора: 120 pF / 50 V | Заряд затвора: 37.5 nC / 10 V

• INFIN
• TO-247
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 20 В
• 68,5 A
• 0,041 Ohm
• 500 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.5V / 3.3mA | Ємність затвора: 400 pF / 100 V | Заряд затвора: 300 nC / 10 V

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 300 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 90 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 672 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 0.37 uC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 172ns | Час...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 188 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 90 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 45ns | Час виключення:...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 150 А
• 375 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 145 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 50ns | Час...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 46 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 52 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 55ns | Час виключення:...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 111 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 45 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 29ns | Час...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 600 V
• 20 А
• 167 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 24.6 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 20ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 260 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 149 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 37ns | Час...

• ST
• TO-247
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 В
• 10 A
• 750 mOhm
• 156 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.5V / 250µA | Ємність затвора: 1370 pF / 25 V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 483 Вт
• 1.85 V
• є
• 180 А
• 180 А
• 152 нс
• 66 нс
• 57 н

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 117

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 650 V
• 90 A
• 75 A
• 468 Вт
• 1.65 V
• є
• 300 А
• 300 А
• 355 нс
• 120 нс
• 59 н

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 173

• Польові N-канальні
• Ir
• TO-247
• 200 V
• THT
• 50 A

• IGBT
• Ir
• TO-247
• 600 V
• 2 V
• 75 A
• 45 A
• 390 W

• IGBT
• Ir
• TO-247
• 600 V
• 1.65 V
• 96 A
• 48 A
• 330 W

• 150 A
• 960 W
• 500 В
• 30 В
• Ixys
• TO-247
• SMD
• Інше

• TO-247

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 150 А
• 833 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 450 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 242 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 19ns | Час...