• Популярные
  • Время добавления
  • Цена
Транзистор IGBT NCE60TD65BT

Транзистор IGBT NCE60TD65BT

5

Код: 627730

  • IGBT
  • NCE
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 120 А
  • 319 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 262 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 19ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT IKW30N60H3 (K30H603)

Транзистор IGBT IKW30N60H3 (K30H603)

4

Код: 607738

  • Infineon
  • TO-247
  • IGBT
  • 600 V
  • 60 A
  • 30 A
  • 187 Вт
  • 1.95 V
  • есть
  • 120 А
  • 120 А
  • 207 нс
  • 21 нс
  • 38 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 165

В наличии

Транзистор IGBT YGW15N120F1A

Транзистор IGBT YGW15N120F1A

5

Код: 627843

  • IGBT
  • LUXIN
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 30 А
  • 260 W
  • -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 84 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9

В наличии

Транзистор полевой MOSFET NCE65TF099T

Транзистор полевой MOSFET NCE65TF099T

5

Код: 625359

  • NCE
  • TO-247
  • THT
  • Полевые N-канальные
  • 650 V
  • 30 В
  • 38 A
  • 109 mOhm
  • 322 W
  • -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 97 pF / 50 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V

В наличии

Транзистор полевой MOSFET NCE65TF130T

Транзистор полевой MOSFET NCE65TF130T

5

Код: 625343

  • NCE
  • TO-247
  • THT
  • Полевые N-канальные
  • 650 V
  • 30 В
  • 28 A
  • 130 mOhm
  • 260 W
  • -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 120 pF / 50 V | Заряд затвора: 37.5 nC / 10 V

В наличии

Транзистор полевой MOSFET IPW65R041CFD

Транзистор полевой MOSFET IPW65R041CFD

4

Код: 624979

  • INFIN
  • TO-247
  • THT
  • Полевые N-канальные
  • 650 V
  • 20 В
  • 68,5 A
  • 0,041 Ohm
  • 500 W
  • -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 3.3mA | Ёмкость затвора: 400 pF / 100 V | Заряд затвора: 300 nC / 10 V

В наличии

Транзистор IGBT NCE15TD120BT

Транзистор IGBT NCE15TD120BT

5

Код: 627856

  • IGBT
  • NCE
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 30 А
  • 300 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 90 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 19ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT DG50Q12T2

Транзистор IGBT DG50Q12T2

4

Код: 627572

  • IGBT
  • STARPOWER
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 50 А
  • 672 W
  • -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.37 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 172ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT YGW40N65F1A1

Транзистор IGBT YGW40N65F1A1

4

Код: 627854

  • IGBT
  • LUXIN
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 80 А
  • 188 W
  • -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 90 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 45ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT YGW75N65HP

Транзистор IGBT YGW75N65HP

5

Код: 627634

  • IGBT
  • LUXIN
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 150 А
  • 375 W
  • -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 145 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 50ns |...

В наличии

Транзистор IGBT SGT20T60SDM1P7

Транзистор IGBT SGT20T60SDM1P7

4

Код: 627791

  • IGBT
  • Silan Microelectronics
  • THT
  • TO-247
  • 600 V
  • 40 А
  • 46 W
  • -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 52 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 55ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT AOK40B60D1

Транзистор IGBT AOK40B60D1

4

Код: 627779

  • IGBT
  • AOS
  • THT
  • TO-247
  • 600 V
  • 40 А
  • 111 W
  • -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 45 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 29ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT AOK20B60D1

Транзистор IGBT AOK20B60D1

5

Код: 627717

  • IGBT
  • AOS
  • THT
  • TO-247
  • 600 V
  • 20 А
  • 167 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 24.6 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 20ns...

В наличии

Транзистор IGBT STGW30H60DFB

Транзистор IGBT STGW30H60DFB

5

Код: 627639

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 600 V
  • 60 А
  • 260 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 149 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 37ns |...

В наличии

Транзистор полевой MOSFET STW10NK60Z

Транзистор полевой MOSFET STW10NK60Z

4

Код: 625651

  • ST
  • TO-247
  • THT
  • Полевые N-канальные
  • 600 V
  • 30 В
  • 10 A
  • 750 mOhm
  • 156 W
  • -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1370 pF / 25 V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

В наличии

Транзистор IGBT CRG60T60AK3HD

Транзистор IGBT CRG60T60AK3HD

4

Код: 607732

  • Crmicro
  • TO-247
  • IGBT
  • 600 V
  • 120 A
  • 60 A
  • 483 Вт
  • 1.85 V
  • есть
  • 180 А
  • 180 А
  • 152 нс
  • 66 нс
  • 57 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 117

В наличии

Транзистор IGBT CRG75T65AK5HD

Транзистор IGBT CRG75T65AK5HD

4

Код: 607731

  • Crmicro
  • TO-247
  • IGBT
  • 650 V
  • 90 A
  • 75 A
  • 468 Вт
  • 1.65 V
  • есть
  • 300 А
  • 300 А
  • 355 нс
  • 120 нс
  • 59 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 173:

В наличии

Транзистор полевой N-канальный IRFP260N

Транзистор полевой N-канальный IRFP260N

4

Код: 307922

  • Полевые N-канальные
  • Ir
  • TO-247
  • 200 V
  • THT
  • 50 A

В наличии

Транзистор IGBT IRGP50B60PD1PBF

Транзистор IGBT IRGP50B60PD1PBF

5

Код: 307917

  • IGBT
  • Ir
  • TO-247
  • 600 V
  • 2 V
  • 75 A
  • 45 A
  • 390 W

В наличии

Транзистор IGBT IRGP4063DPBF

Транзистор IGBT IRGP4063DPBF

5

Код: 260956

  • IGBT
  • Ir
  • TO-247
  • 600 V
  • 1.65 V
  • 96 A
  • 48 A
  • 330 W

В наличии

Транзистор MOSFET IXFH52N50P2

Транзистор MOSFET IXFH52N50P2

4

Код: 666212

  • 150 A
  • 960 W
  • 500 В
  • 30 В
  • Ixys
  • TO-247
  • SMD
  • Другое

В наличии

Транзистор IGBT IRG4PC40S

Транзистор IGBT IRG4PC40S

5

Код: 659690

  • TO-247

В наличии

Транзистор IGBT NCE75TD120WT

Транзистор IGBT NCE75TD120WT

4

Код: 627780

  • IGBT
  • NCE
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 150 А
  • 833 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 450 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 19ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT NCE40TD120WT

Транзистор IGBT NCE40TD120WT

4

Код: 627721

  • IGBT
  • NCE
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 80 А
  • 468 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 242 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 19ns | ...

В наличии

Страница 1 из 15