• Популярні
  • Час додавання
  • Ціна
Транзистор IGBT AOK50B65M2

Транзистор IGBT AOK50B65M2

4

Код: 627579

  • IGBT
  • AOS
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 50 А
  • 250 W
  • -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 102 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.72 | Час включення: 46ns | Час...

В наявності

Транзистор IGBT AOD5B65M1

Транзистор IGBT AOD5B65M1

4

Код: 627626

  • IGBT
  • AOS
  • SMD
  • DPAK
  • 650 V
  • 5 А
  • 28 W
  • -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 14 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.57 | Час включення: 8.5ns | Час...

В наявності

Транзистор IGBT IGW40N65F5FKSA1

Транзистор IGBT IGW40N65F5FKSA1

5

Код: 627593

  • IGBT
  • INFIN
  • THT
  • TO247-3
  • 650 V
  • 74 А
  • 250 W
  • -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 21ns | Час...

В наявності

Транзистор IGBT YGW40N65F1A1

Транзистор IGBT YGW40N65F1A1

5

Код: 627854

  • IGBT
  • LUXIN
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 80 А
  • 188 W
  • -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 90 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 45ns | Час виключення:...

В наявності

Транзистор IGBT STGWT60H65FB

Транзистор IGBT STGWT60H65FB

5

Код: 627750

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-3P
  • 650 V
  • 80 А
  • 375 W
  • -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 306 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 51ns | Час...

В наявності

Транзистор IGBT CRG75T65BK5SD

Транзистор IGBT CRG75T65BK5SD

4

Код: 627667

  • IGBT
  • Crmicro
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 75 А
  • 468 W
  • -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 173 nC | Час включення: 119ns | Час виключення: 390ns

В наявності

Транзистор IGBT CRG50T60AK3SD

Транзистор IGBT CRG50T60AK3SD

5

Код: 627748

  • IGBT
  • Crmicro
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 50 А
  • 416 W
  • -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 303 nC

В наявності

Транзистор IGBT CRG40T65AN5H

Транзистор IGBT CRG40T65AN5H

4

Код: 627869

  • IGBT
  • Crmicro
  • THT
  • TO-3PN
  • 650 V
  • 80 А
  • 250 W
  • -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 54ns | Час...

В наявності

Транзистор IGBT CRG40T60AN3S

Транзистор IGBT CRG40T60AN3S

5

Код: 627659

  • IGBT
  • Crmicro
  • THT
  • TO-3PN
  • 650 V
  • 40 А
  • 280 W
  • -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 165 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 42ns | Час...

В наявності

Транзистор IGBT CRG40T60AK3SD

Транзистор IGBT CRG40T60AK3SD

5

Код: 627658

  • IGBT
  • Crmicro
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 80 А
  • 280 W
  • -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 165 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 49ns | Час...

В наявності

Транзистор IGBT YGW75N65HP

Транзистор IGBT YGW75N65HP

5

Код: 627634

  • IGBT
  • LUXIN
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 150 А
  • 375 W
  • -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 145 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 50ns | Час...

В наявності

Транзистор IGBT SGT50T65FD1P7

Транзистор IGBT SGT50T65FD1P7

4

Код: 627638

  • IGBT
  • Silan Microelectronics
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 100 А
  • 235 W
  • -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 148 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 45ns | Час...

В наявності

Транзистор IGBT SGT75T65SDM1P7

Транзистор IGBT SGT75T65SDM1P7

5

Код: 627676

  • IGBT
  • Silan Microelectronics
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 75 А
  • 416 W
  • -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 180 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 42ns

В наявності

Транзистор IGBT SGT60T65FD1PN

Транзистор IGBT SGT60T65FD1PN

5

Код: 627583

  • IGBT
  • Silan Microelectronics
  • THT
  • TO-3P
  • 650 V
  • 120 А
  • 450 W
  • -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 110 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 55ns | Час...

В наявності

Транзистор IGBT YGF15N65T2

Транзистор IGBT YGF15N65T2

4

Код: 627778

  • IGBT
  • LUXIN
  • THT
  • TO-220F
  • 650 V
  • 30 А
  • 30,6 W
  • -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 45 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5

В наявності

Транзистор IGBT IGP40N65H5XKSA1

Транзистор IGBT IGP40N65H5XKSA1

4

Код: 627863

  • IGBT
  • INFIN
  • THT
  • TO-220
  • 650 V
  • 74 А
  • 250 W
  • -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 95 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 22ns | Час...

В наявності

Транзистор IGBT YGW100N65FSA1

Транзистор IGBT YGW100N65FSA1

5

Код: 627727

  • IGBT
  • LUXIN
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 100 А
  • -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 255 nC | Час включення: 46ns | Час виключення: 129ns

В наявності

Транзистор IGBT YGW50N65F1A

Транзистор IGBT YGW50N65F1A

4

Код: 627677

  • IGBT
  • LUXIN
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 100 А
  • 312 W
  • -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 180 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 40ns | Час...

В наявності

Транзистор IGBT FGH75T65SHDT-F155

Транзистор IGBT FGH75T65SHDT-F155

5

Код: 627607

  • IGBT
  • ONS
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 150 А
  • 455 W
  • -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 123 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 28ns | Час...

В наявності

Транзистор IGBT FGH75T65UPD-F085

Транзистор IGBT FGH75T65UPD-F085

5

Код: 627806

  • IGBT
  • ONS
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 150 А
  • 375 W
  • -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 578 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.69 | Час включення: 32ns | Час...

В наявності

Транзистор IGBT AOK60B65H2AL

Транзистор IGBT AOK60B65H2AL

4

Код: 627844

  • IGBT
  • AOS
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 180 А
  • 166 W
  • -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 84 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.95 | Час включення: 35ns | Час...

В наявності

Транзистор IGBT RJH65T46DPQ-A0#T0

Транзистор IGBT RJH65T46DPQ-A0#T0

4

Код: 627625

  • IGBT
  • Renesas
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 80 А
  • 340,9 W
  • …+175°C

Примітка: Заряд затвора: 138 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 45ns | Час...

В наявності

Транзистор IGBT RJP65T43DPQ-A0#T2

Транзистор IGBT RJP65T43DPQ-A0#T2

4

Код: 627825

  • IGBT
  • Renesas
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 60 А
  • 150 W
  • …+175°C

Примітка: Заряд затвора: 69 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 35ns | Час виключення:...

В наявності

Транзистор IGBT IKW40N65WR5

Транзистор IGBT IKW40N65WR5

4

Код: 627688

  • IGBT
  • INFIN
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 250 W
  • -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 193 nC | Час включення: 42ns | Час виключення: 432ns

В наявності

Сторінка 2 з 4