Транзистори для електронних компонентів. Тип IGBT. Тип монтажу THT. Сторінка 2

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 80 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 54ns | Час...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 54ns | Час...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 280 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 165 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 49ns | Час...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 150 А
• 375 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 145 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 50ns | Час...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 158 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 56ns | Час...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 235 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 148 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 45ns | Час...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 650 V
• 75 А
• 416 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 180 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 42ns

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 650 V
• 120 А
• 450 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 110 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 55ns | Час...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 158 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 56ns | Час...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-220F
• 650 V
• 30 А
• 30,6 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 45 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 74 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 95 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 22ns | Час...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 255 nC | Час включення: 46ns | Час виключення: 129ns

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 180 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 40ns | Час...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 150 А
• 455 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 123 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 28ns | Час...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 150 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 578 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.69 | Час включення: 32ns | Час...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 340,9 W
• …+175°C

Примітка: Заряд затвора: 138 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 45ns | Час...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 60 А
• 150 W
• …+175°C

Примітка: Заряд затвора: 69 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 35ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 250 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 193 nC | Час включення: 42ns | Час виключення: 432ns

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 80 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 38ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 74 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 95 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 18ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-HSIP247-3-2
• 650 V
• 79 А
• 230 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 70 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 17ns | Час виключення: 124ns

• IGBT
• Mcc
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 306 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 160 nC | Час включення: 12ns | Час виключення: 124ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 83 А
• 210 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 159 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.29 | Час включення: 17ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 80 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 68 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 18ns | Час...