Транзистори для електронних компонентів. Тип IGBT. Температурний діапазон -55...+150°C. Сторінка 2

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 50 А
• 140 W
• -55...+150°C

Примітка: Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 0.3us | Час виключення: 0.4us

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 278 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 141.2 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 48ns | Час виключення: 200ns

• IGBT
• Apec
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 60 А
• 208 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 63 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3.7 | Час включення: 40ns | Час виключення:...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 80 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 38ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 60 А
• 480 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 225 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.3 | Час включення: 18ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 5 А
• 62,5 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 18 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 19ns | Час виключення: 160ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 7,5 А
• 38 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 12 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.45 | Час включення: 11ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 600 V
• 7 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 34.4 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 22.5ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 600 V
• 30 А
• 47 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 88 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.75 | Час включення: 65ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 35 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 55 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 30ns | Час виключення:...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 165 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 63 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 13ns | Час виключення:...

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 24ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.3 | Час включення: 25ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 250 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 57 nC

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 650 V
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 57 nC | Час включення: 20.5ns | Час виключення: 96ns

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 120 А
• 298 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 192 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 29ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 116 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.4 | Час включення: 21ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 600 V
• 16 А
• 32 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 55 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 30ns | Час виключення:...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 15 А
• 74 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.3 | Час включення: 15ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 1000 V
• 35 А
• 63 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 275 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.5 | Час включення: 140ns | Час...

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 625 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 142 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 4.2 | Час включення: 28ns | Час...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-3PBL
• 1200 V
• 50 А
• 312 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 200 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.65 | Час включення: 50ns | Час...

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 40 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 15ns | Час виключення:...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 11 А
• 28 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 34.4 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 22.5ns | Час...