Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 240

• Біполярні NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,5 А
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 300

• Біполярні NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 65 V
• 0,1 А
• 450
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 80

• Інше
• Nexperia
• SMD
• SOT363
• 50 V
• 0,1 А
• 80
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 50

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 53 А
• 200 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 50 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 40ns | Час...

• Біполярні PNP
• NEX-NXP
• SMD
• SOT457
• 45 V
• 0,5 А
• 400
• -60…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-264
• 600 V
• 160 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 345 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 40ns | Час...

• Біполярні PNP
• Nxp
• SMD
• SOT363
• 40 V
• 0,1 А
• 120
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 50

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 75 А
• 480 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 192 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.75 | Час включення: 33ns | Час...

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 160 V
• 0,3 А
• 250
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 180

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247-long-leads
• 1300 V
• 33 А
• 180 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 127 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час виключення: 284ns

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 40 А
• 298 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 137 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 49 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 100 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 63ns | Час...

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT223
• 40 V
• 3 А
• 350
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 65 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT323
• 50 V
• 0,1 А
• 60
• -55...+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Інше
• SMK

• Інше
• SMK

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 195 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 175 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.6 | Час включення: 23ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 27 А
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 80 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 11ns | Час виключення: 72ns

• IGBT
• Ir
• SMD
• TO-263
• 600 V
• 42 А
• 140 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 25 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 31ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 240 А
• 750 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 240 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 80ns | Час...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 100 А
• 330 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 140 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 60ns | Час...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 76 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 104 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 46ns | Час...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247
• 500 V
• 59 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 33ns | Час...