Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 239

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 1200 V
• 50 А
• 190 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 155 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 50ns | Час...

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 200 V
• 2 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 220

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 150 V
• 5 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 250

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 1300 V
• 60 А
• 500 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 78 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9

• IGBT
• INFIN

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-220
• 80 V
• 15 А
• 150
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.3 | Напруга колектор-база, В: 90

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,025 А
• 222
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.775 | Напруга колектор-база, В: 40

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 75 А
• 520 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 310 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 39ns | Час...

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• ISOWATT218
• 800 V
• 24 А
• 30
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 1700

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 1200 V
• 55 А
• 210 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 130 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 30ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 41 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 140 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.5 | Час включення: 44ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 50 А
• 333 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 315 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 23ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220AB
• 600 V
• 47 А
• 206 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 35 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 40ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220AB
• 600 V
• 16 А
• 77 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 13 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 27ns | Час виключення:...

• Інше
• TI

• Біполярні NPN
• INFIN
• SMD
• SOT223
• 300 V
• 0,5 А
• 40
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 300

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 32 А
• 140 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 25 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 31ns | Час...

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT323
• 15 V
• 0,12 А
• 250
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 2.5 | Напруга колектор-база, В: 20

• Біполярні NPN
• Samsung
• THT
• TO-92-3
• 50 V
• 0,1 А
• 68
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• DIODES
• THT
• TO-92
• 60 V
• 0,8 А
• 1 W
• 5000

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга колектор-база, В: 80

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 30 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 160 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час виключення: 165ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 1200 V
• 90 А
• 385 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 157 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 25ns | Час...

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 450 V
• 5 А
• 25
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 12 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 1000

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-92-3
• 60 V
• 2 А
• 75
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 80