Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 242

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 20 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 19 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 17ns | Час виключення:...

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 360 V
• 25 А
• 125 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 29 nC | Напруга затвор - емітер, В: 12 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.35 | Час включення: 650ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 1200 V
• 6 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 24 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.8 | Час включення: 15ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 45 А
• 187 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 167 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.05 | Час включення: 23ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247AD
• 1200 V
• 21 А
• 167 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 53 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.7 | Час включення: 22ns | Час виключення:...

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 208 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 170 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 36ns | Час...

• IGBT
• Fair
• SMD
• SO8
• 2,5 W
• -55...+150°C

• Біполярні PNP
• Panasonic
• THT
• M-A1
• 50 V
• 0,1 А
• 460
• …+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• TO-220
• 100 V
• 1 А
• 75
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні PNP
• ST
• THT
• TO-220
• 80 V
• 5 А
• 1000
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• ST
• THT
• TO-220
• 60 V
• 2 А
• 1000
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.5 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні PNP
• China
• THT
• TO-39
• 60 V
• 0,5 А

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні PNP
• TAIWAN SEMICONDUCTOR
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 600
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Не вказано
• THT
• TO-92-3
• 20 V
• 0,5 А
• 200

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,5 А
• 200
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 300

• Біполярні NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT23
• 160 V
• 0,3 А
• 250
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 180

• Біполярні PNP
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,1 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,1 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT323
• 50 V
• 0,1 А
• 80
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 70
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT723
• 50 V
• 0,1 А
• 27
• -55...+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• NEX-NXP
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 60
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 200
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Nxp
• SMD
• SOT89
• 40 V
• 4 А
• 250
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.34 | Напруга колектор-база, В: 40