Транзистор MOSFET сдвоенный FDC6561AN

Особенности:

• On Semiconductor
• Super SOT-6
• Другое
• 30 В
• 10 A
• 20 В
• 0.98 W
• THT
• На складе

Примечание: Тип канала и конфигурация: 2N | Напряжение пробоя сток-исток 2 канал (Ubrdss2), В: 30 | Максимально допустимое напряжение затвор-исток 2 канал (Ugs max2), В: 20: | Максимальный ток сток-исток при 25°С (1-й канал) (Id Сh1 ), А: 2.5: | Максимальный ток сток-исток при 25°С (2-й канал) (Id Сh2 ), А: 2.5 | Максимальный импульсный ток стока 2 канал (Idm2), А: 10: | Рассеиваемая мощность при 25°C (Pd), Вт: 0.98: | Сопротивление сток-исток при 10V (1-й канал) (Rdson1), мОм: 95: | Сопротивление сток-исток при 10V (2-й канал) (Rdson2), мОм: 95: | Сопротивление сток-исток при 4,5V (1-й канал), мОм: 145: | Сопротивление сток-исток при 4,5V (2-й канал), мОм: 145: | Время включения (1-й канал), нс: 6: | Время включения (2-й канал), нс: 6: | Время выключения (1-й канал), нс: 12: | Время выключения (2-й канал), нс: 12: | Полный заряд затвора, нКл: 2.3: | Полный заряд затвора 2 канал, нКл: 2.6 | Маркировка на корпусе: .561: Маркировка на корпусе: .561: