Транзистор IGBT HGTG10N120BND
Код: 532681
Особенности:
- On Semiconductor
- IGBT
- 1200 V
- 35 A
- 17 A
- 2,45 V
- 298 Вт
- 100
- 80 А
- есть
- 165 нс
- 13 нс
- 57 н
- На складе
339 грн.
Спец. цена 300 грн.В наличии
Характеристики
| Бренд | On Semiconductor |
|---|---|
| Тип | IGBT |
| Vces | 1200 V |
| Ic* | 35 A |
| Ic 100 | 17 A |
| Uceo | 2,45 V |
| Pмакс | 298 Вт |
| Qg, nC | 100 |
| Icm | 80 А |
| Наличие диода | есть |
| Время спада (tof) | 165 нс |
| Время нарастания (ton) | 13 нс |
| Время восcтановления (trr) | 57 н |
| Наличие на складе | Да |
- Гарантия
- Каждый товар гарантировано поступит к покупателю точно в обговоренный срок
- Доставка
- Доставка товара любым из удобных Вам предложенных способов
- Возврат товара
- Возврат товара осуществляется в течение 14 дней после покупки, в соответствии с действующим законом
- Оплата при получении товара
- Оплата проводится во время получения товара, наложенным платежом
Похожие товары
Вопросы и отзывы
Вопросов еще нет, но Вы можете быть первым
Отмеченные поля * обязательны к заполнению.