Транзистор IGBT HGTG10N120BND

5

Код: 532681

Особливості:

  • On Semiconductor
  • IGBT
  • 1200 V
  • 35 A
  • 17 A
  • 2,45 V
  • 298 Вт
  • 100
  • 80 А
  • є
  • 165 нс
  • 13 нс
  • 57 н
  • На складі

В наявності

Оплата
Онлайн карткою банку / Післяплата під час отримання / Безготівковий розрахунок
Доставка
На відділення «Нова пошта» / На поштомат «Нова пошта» / На відділення «Укрпошта»

Характеристики

Бренд On Semiconductor
Тип IGBT
Vces 1200 V
Ic* 35 A
Ic 100 17 A
Uceo 2,45 V
Pмакс 298 Вт
Qg, nC 100
Icm 80 А
Наявність діода є
Час спаду (tof) 165 нс
Час наростання (ton) 13 нс
Час відновлення (trr) 57 н
Наявність на складі Так

Питання та відгуки

Питань ще немає, але Ви можете бути першим

Відмічені поля * необхідно заповнити.

Оцініть товар
Гарантія
Кожен товар гарантовано надійде до покупця точно в обговорений термін
Доставка
Доставка товару будь-яким із зручних Вам запропонованих способів
Повернення товару
Повернення товару здійснюється протягом 14 днів після покупки, відповідно до чинного закону
Оплата при отриманні товару
Оплата проводиться під час отримання товару, післяплатою

Схожі товари