Транзистор IGBT HGTG10N120BND
Код: 532681
Особливості:
- On Semiconductor
- IGBT
- 1200 V
- 35 A
- 17 A
- 2,45 V
- 298 Вт
- 100
- 80 А
- є
- 165 нс
- 13 нс
- 57 н
- На складі
339 грн.
Спец. ціна 300 грн.В наявності
Характеристики
| Бренд | On Semiconductor |
|---|---|
| Тип | IGBT |
| Vces | 1200 V |
| Ic* | 35 A |
| Ic 100 | 17 A |
| Uceo | 2,45 V |
| Pмакс | 298 Вт |
| Qg, nC | 100 |
| Icm | 80 А |
| Наявність діода | є |
| Час спаду (tof) | 165 нс |
| Час наростання (ton) | 13 нс |
| Час відновлення (trr) | 57 н |
| Наявність на складі | Так |
- Гарантія
- Кожен товар гарантовано надійде до покупця точно в обговорений термін
- Доставка
- Доставка товару будь-яким із зручних Вам запропонованих способів
- Повернення товару
- Повернення товару здійснюється протягом 14 днів після покупки, відповідно до чинного закону
- Оплата при отриманні товару
- Оплата проводиться під час отримання товару, післяплатою
Схожі товари
Питання та відгуки
Питань ще немає, але Ви можете бути першим
Відмічені поля * необхідно заповнити.