Транзистор MOSFET здвоєний FDC6561AN

Особливості:

• On Semiconductor
• Super SOT-6
• Інше
• 30 В
• 10 A
• 20 В
• 0.98 W
• THT
• На складі

Примітка: Тип каналу і конфігурація: 2N | Максимально допустима напруга затвор-витік 2 канал (Ugs max2), В: 20: | Максимальний струм стік-витік при 25°С (1-й канал) (Id Сh1 ), А: 2.5: | Максимальний струм стік-витік при 25°С (2-й канал) (Id Сh2 ), А: 2.5 | Максимальний імпульсний струм витоку 2 канал (Idm2), А: 10 | Опір стік-витік при 10V (1-й канал) (Rdson1), мОм: 95: | Опір стік-витік при 10V (2-й канал) (Rdson2), мОм: 95: | Опір стік-витік при 4,5V (1-й канал), мОм: 145: | Опір стік-витік при 4,5V (2-й канал), мОм: 145: | Час включення (1-й канал), нс: 6: | Час включення (2-й канал), нс: 6: | Час вимикання (1-й канал), нс: 12: | Час виключення (2-й канал), нс: 12: | Повний заряд затвору, нКл: 2.3: | Повний заряд затвора 2 канал, нКл: 2.6 | Маркування на корпусі: .561