Электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 74

• Huayi
• DFN5X6
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 150 A
• 1,6 Ohm
• 65 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 3011 pF / 25 V | Заряд затвора: 44 nC / 24 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 6 A
• 30 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 310 pF / 10 V | Заряд затвора: 6 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные NPN
• MDD
• SMD
• SOT23
• -55...+150°C

• INFIN
• TO-263-7
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 557 A
• 0,65 mOhm
• 416 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 19680 pF / 25 V | Заряд затвора: 307 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• SMD
• 5.6
• 2 %
• 0.4 Вт
• Z9
• PDZ-B
• 50 Ом

• SMD
• 18
• 5 %
• 0.41 Вт
• mSZ52xx
• 21 Ом

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 140

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• TOS
• TO-252
• SMD
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 5 A
• 190 mOhm
• 20 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 1mA | Ёмкость затвора: 630 pF / 10 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V

• TI
• VSONP-8(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 100 A
• 4,9 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 4810 pF / 50 V | Заряд затвора: 62 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-220
• SMD
• Полевые N-канальные
• 82 V
• 20 В
• 140 A
• 6 mOhm
• 220 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 7900 pF / 40 V | Заряд затвора: 158 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-263
• SMD
• Полевые N-канальные
• 85 V
• 20 В
• 160 A
• 2,3 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 1746 pF / 40 V | Заряд затвора: 130 nC / 10 V

• Apec
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 4,7 A
• 28 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 800 pF / 25 V | Заряд затвора: 8 nC / 4.5 V

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 8,5 A
• 0,024 Ohm
• 3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1050 pF / 15 V | Заряд затвора: 12 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 34 A
• 6,2 mOhm
• 5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1650 pF / 30 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• 0.3 Вт
• On Semiconductor
• 5 %
• OW
• 18
• MM3ZxxT1G
• 45 Ом
• SMD

• Yj
• Однофазный
• SMD

• 100 MHz
• 450
• 0.1 A
• 50 V
• 45 V
• Nxp
• SOT-323
• SMD
• Биполярные NPN

• Samwha
• Электролитические SMD
• 5.3 мм.
• SMD
• 4 мм.
• 4.7 мкФ
• ±20%
• 35 V
• -55...+105°C
• RC
• Полярный

• Другое
• Не указан
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 3 А
• 560
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.19 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• IGBT
• NCE
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 30 А
• 105 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 63 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 16ns | ...

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 400 V
• 1,5 А
• 35
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 700