Электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 17

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT363
• 45 V
• 0,1 А
• -55...+150°C

• Биполярные PNP
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT-23
• 100 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.135 | Напряжение коллектор-база, В: 130

• IGBT
• AOS
• SMD
• TO-252
• 600 V
• 5 А
• 21,7 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 9.4 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 27ns |...

• Биполярные PNP
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,5 А
• 40
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• Nexperia
• SMD
• SOT323
• 50 V
• …+175°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 33
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 25 V
• 0,025 А
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение коллектор-база, В: 25

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 16 V
• 0,05 А
• -40…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 2 | Напряжение коллектор-база, В: 24

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT323
• 12 V
• 0,05 А
• -40…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 2 | Напряжение коллектор-база, В: 24

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 12 V
• 0,065 А
• -40…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 2 | Напряжение коллектор-база, В: 24

• Биполярные PNP
• Rohm
• SMD
• SOT23
• 0,5 А
• …+150°C

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 32 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 32

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• TO-220
• 70 V
• 7 А
• 150
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3.5 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 60 V
• 1 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.15 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 10 А
• 65 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 19.2 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 14.2ns...

• Биполярные PNP
• TOS
• SMD
• SC59-3
• 50 V
• 0,15 А
• 400
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Другое
• Rohm
• SMD
• SOT363
• 0,3 V
• 0,1 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 3

• Биполярные NPN
• TOS
• SMD
• SOT23
• 20 V
• 0,3 А
• 1200
• …+125°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• TOS
• SMD
• SOT23
• 20 V
• 0,3 А
• 1200
• …+125°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• ZTX
• SMD
• SOT223
• 500 V
• 0,15 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 500

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• TO-126
• 300 V
• 0,5 А
• 30
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 3

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT-343-4
• 4 V
• 0,025 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 1.2 | Напряжение коллектор-база, В: 13

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• SOT223
• 1200 V
• 0,2 А
• 3
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3