Электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 14

• Samwha
• Электролитические SMD
• 5.3 мм.
• SMD
• 5 мм.
• 47 мкФ
• ±20%
• 6.3 V
• -55...+105°C
• RC
• Полярный

• Samwha
• Электролитические SMD
• 5.3 мм.
• SMD
• 6.3 мм.
• 33 мкф
• ±20%
• 16 V
• -55...+105°C
• RC
• Полярный

• Samwha
• Электролитические SMD
• 5 мм.
• SMD
• 6.3 мм.
• 22 мкФ
• ±20%
• 25 V
• -55...+105°C
• RC
• Полярный

• Samwha
• Электролитические SMD
• 5.3 мм.
• SMD
• 4 мм.
• 10 мкФ
• ±20%
• 16 V
• -55...+105°C
• RC
• Полярный

• Samwha
• Электролитические SMD
• 5.3 мм.
• SMD
• 4 мм.
• 2.2 мкФ
• ±20%
• 50 V
• -55...+105°C
• RC
• Полярный

• 0.3 Вт
• On Semiconductor
• 5 %
• OC
• 5.6
• m3ZxxT1G
• 40 Ом
• SMD

• 0.16 Om
• Panasonic
• 7.7 мм.
• 6.3 мм.
• 20 %
• 470 uF
• 390 mA
• FT
• 2000 часов
• -55..+105 °С
• SMD
• Электролитические выводные
• 600 мА

• 0.2 Вт
• Dc Components
• 5 %
• 5.6
• BZX584
• 40 Ом
• SMD

• 125 W
• 200 В
• 20 В
• Infineon
• TO-220
• SMD
• Другое

• 0.5 Вт
• 5 %
• 3.6
• MMSZ52xx
• 24 Ом
• SMD

• 0.4 W
• 60 В
• 20 В
• Fairchild
• TO-92
• SMD
• Другое

• 4.3 A
• 114 W
• 0.625 В
• 20 В
• Diodes Incorporated
• SMD
• Другое

• 3.5 мм.
• 5.1 мм.
• 10 %
• W
• 5
• 200
• Металлокерамика
• 0.25 W
• 500 V
• Вертикальная
• 3214
• 10 кОм
• -65..+150°C
• 100 ppm/°
• SMD
• Подстроечные
• 4.8 мм.

• 1072 A
• 114 W
• 40 В
• 20 В
• Wayon
• 13.8 нс
• 91 нс
• SMD
• Другое

• 0.5 Вт
• KLS
• 5 %
• 3.9
• BZV55
• SMD

• 0.5 Вт
• KLS
• 5 %
• 3.3
• BZV55
• 95 Ом
• SMD

• 2 W
• 30 В
• 20 В
• Infineon
• SO-8
• SMD
• Другое

• Другое
• DIODES
• SMD
• SOT223-8
• 17,5 V
• 5 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,5 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Jscj
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 2 А
• 240
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• Rohm
• SMD
• SC-96
• 60 V
• 2 А
• 120
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• IGBT
• NCE
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 60 А
• 190 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 132 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• NCE
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 20 А
• 83 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 44 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 20ns | ...

• IGBT
• NCE
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 14 А
• 73 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 28 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 20ns | ...