Электронные компоненты для электронных компонентов. Тип монтажа THT. Страница 67

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220AB
• 600 V
• 47 А
• 206 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 35 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220AB
• 600 V
• 16 А
• 77 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 13 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 27ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 32 А
• 140 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 25 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 31ns | ...

• Биполярные NPN
• Samsung
• THT
• TO-92-3
• 50 V
• 0,1 А
• 68
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• DIODES
• THT
• TO-92
• 60 V
• 0,8 А
• 1 W
• 5000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 30 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 160 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время выключения: 165ns

• Биполярные NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 450 V
• 5 А
• 25
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 1000

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-92-3
• 60 V
• 2 А
• 75
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 53 А
• 200 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 50 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-264
• 600 V
• 160 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 345 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 75 А
• 480 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 192 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 33ns |...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247-long-leads
• 1300 V
• 33 А
• 180 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 127 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время выключения: 284ns

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 40 А
• 298 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 137 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 49 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 63ns | ...

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 65 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 195 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 175 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.6 | Время включения: 23ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 240 А
• 750 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 240 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 80ns | ...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 100 А
• 330 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 140 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 60ns | ...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 76 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 104 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 46ns | ...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247
• 500 V
• 59 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 33ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 60 А
• 308 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 160 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.55 | Время включения: 26ns |...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-220AB
• 600 V
• 8 А
• 56 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 13 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 25ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220AB
• 600 V
• 31 А
• 208 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 56 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 34ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220AB
• 1200 V
• 140 А
• 556 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 27 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 900ns |...