Электронные компоненты для электронных компонентов. Тип монтажа THT. Страница 66

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 130 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 53 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 25ns | ...

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 8
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-92-3FORM
• 80 V
• 1 А
• 250
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5

• Биполярные NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 150 V
• 1,5 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5

• Другое
• ST
• THT
• DIP-16
• 80 V
• 1,75 А
• -20...+85°C

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-274AA
• 600 V
• 240 А
• 750 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 240 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.05 | Время включения: 80ns |...

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-92
• 100 V
• 0,8 А
• 5 W
• 10000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 12 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные PNP
• ST
• THT
• TO-225
• 80 V
• 4 А
• 80
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-225
• 40 V
• 4 А
• 100
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-274AA
• 1200 V
• 80 А
• 595 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 340 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3.12 | Время включения: 76ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AD
• 600 V
• 140 А
• 454 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 150 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 50ns | ...

• Биполярные PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 30 V
• 0,1 А
• 450
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 30 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 600 V
• 75 А
• 428 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 470 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 33ns | ...

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-247
• 100 V
• 20 А
• 160 W
• 100

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-220
• 100 V
• 2 А
• 50 W
• 1000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 1200 V
• 50 А
• 190 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 155 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 50ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 1300 V
• 60 А
• 500 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 78 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-220
• 80 V
• 15 А
• 150
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.3 | Напряжение коллектор-база, В: 90

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 75 А
• 520 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 310 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 39ns | ...

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• ISOWATT218
• 800 V
• 24 А
• 30
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 1700

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 1200 V
• 55 А
• 210 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 130 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 30ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 41 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 140 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Время включения: 44ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 50 А
• 333 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 315 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 23ns |...