Электронные компоненты для электронных компонентов. Тип монтажа THT. Страница 143

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 535 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 42ns | ...

• Биполярные PNP
• ST
• THT
• TO-220
• 60 V
• 6 А
• 75
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Semtech
• THT
• TO-92-3
• 65 V
• 0,1 А
• 270
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247
• 600 V
• 95 А
• 330 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 60ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 45 А
• 187 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 167 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.05 | Время включения: 23ns |...

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 60 V
• 5 А
• 20000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Mcc
• THT
• 800 V
• 6 А
• 10
• …+125°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение коллектор-база, В: 800

• Биполярные NPN
• MIT
• THT
• TO-220
• 17 V
• 0,6 А
• 180
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Wayon
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 13 A
• 0,32 Ohm
• 31 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 0.25mA | Ёмкость затвора: 992 pF / 25 V | Заряд затвора: 4.9 nC / 10 V

• VISH/IR
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 14 A
• 450 mOhm
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1910 pF / 25 V | Заряд затвора: 81 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Utc
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 100 A
• 5,3 mOhm
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 4900 pF / 15 V | Заряд затвора: 65 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 20 A
• 290 mOhm
• 214 W
• -65…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1300 pF / 25 V | Заряд затвора: 37 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 2,5 A
• 4,5 Ohm
• 70 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 485 pF / 25 V | Заряд затвора: 19 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 80 A
• 3,5 mOhm
• 158 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3100 pF / 10 V | Заряд затвора: 55 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 80 A
• 3,5 mOhm
• 140 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 3100 pF / 25 V | Заряд затвора: 42 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• SILIUP
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 100 A
• 6 mOhm
• 90 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 5000 pF / 20 V | Заряд затвора: 61 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 20 A
• 0,27 Ohm
• 252 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 425 pF / 25 V | Заряд затвора: 58.38 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 18 A
• 0,31 Ohm
• 240 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2320 pF / 25 V | Заряд затвора: 37.9 nC / 10 V

• ONS-FAIR
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 28 A
• 155 mOhm
• 310 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 5140 pF / 25 V | Заряд затвора: 105 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 8 A
• 1,4 Ohm
• 205 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2730 pF / 25 V | Заряд затвора: 58 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NEC
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 5 A
• 4 Ohm
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 1 mA | Ёмкость затвора: 790 pF / 10 V | Заряд затвора: 34 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 21 A
• 160 mOhm
• 188 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 83 pF / 50 V | Заряд затвора: 36 nC / 10 V

• NCE
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 240 A
• 2 mOhm
• 340 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1500 pF / 50 V | Заряд затвора: 252 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 28 A
• 130 mOhm
• 260 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 120 pF / 50 V | Заряд затвора: 37.5 nC / 10 V