Электронные компоненты для электронных компонентов. Тип монтажа THT. Страница 140

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 188 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 90 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 45ns | ...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 40 А
• 280 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 165 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 42ns | ...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 46 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 52 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 55ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 1200 V
• 90 А
• 385 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 157 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 25ns | ...

• Silan Microelectronics
• TO-251
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 7 A
• 1,4 Ohm
• 90 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 789 pF / 25 V | Заряд затвора: 21.2 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 12 A
• 0,8 Ohm
• 51 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 155 pF / 25 V | Заряд затвора: 24.15 nC / 10 V

• ONS-FAIR
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 28,4 A
• 160 mOhm
• 310 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 5600 pF / 25 V | Заряд затвора: 140 nC / 12 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 30 A
• 40 mOhm
• 79 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 945 pF / 25 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 38 A
• 109 mOhm
• 322 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 97 pF / 50 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 135 A
• 3,9 mOhm
• 220 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 650 pF / 50 V | Заряд затвора: 125 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 35 A
• 99 mOhm
• 252 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 133 pF / 100 V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V

• 61 A
• 58
• 30 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 40 V
• THT
• 202 A

• Guerte
• 98x60x30 мм
• 1200 V
• 100 A
• Однофазный
• 1650 A
• THT

• Panasonic
• 17 мм.
• 10 мм.
• 20 %
• 10 uF
• 80 mA
• NHG-A
• 2000 часов
• -25..+105 °С
• THT
• Электролитические выводные
• 120 мА
• 5 мм.

• Не указан
• Подстроечные
• 5 кОм
• 1
• 3362R
• THT
• Верхняя
• 0.5 W
• -55...+125°C

• Не указан
• Подстроечные
• 1 кОм
• 28
• 3296Y
• THT
• Верхняя
• 0.5 W
• -55...+125°C

• Не указан
• Подстроечные
• 25 кОм
• 28
• 3296W
• THT
• Верхняя
• 0.5 W
• -55...+125°C

• Не указан
• Подстроечные
• 100 кОм
• 28
• 3296W
• THT
• Верхняя
• 0.5 W
• -55...+125°C

• Не указан
• Подстроечные
• 0.1 кОм
• 28
• 3296W
• THT
• Верхняя
• 0.5 W
• -55...+125°C

• Не указан
• Подстроечные
• 20 кОм
• 12
• 3266Y
• THT
• Верхняя
• 0.25 W
• -55...+125°C

• Не указан
• Подстроечные
• 5 кОм
• 12
• 3266W
• THT
• Верхняя
• 0.25 W
• -55...+125°C

• Не указан
• Подстроечные
• 2 кОм
• 1
• RV24
• THT
• Боковая
• 0.25 W
• -10...+85°C

• Samwha
• Электролитические выводные
• 17 мм.
• THT
• 12.5 мм.
• 220 мкФ
• ±20%
• 63 V
• ...+85°C
• SD
• Полярный