Транзисторы для электронных компонентов. Страница 2

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 550 V
• 25 В
• 16 A
• 192 mOhm
• 110 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1260 pF / 100 V | Заряд затвора: 31 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 18 A
• 125 mOhm
• 110 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 940 pF / 25 V | Заряд затвора: 39 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 6 A
• 1,2 Ohm
• 110 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 905 pF / 25 V | Заряд затвора: 46 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 60 A
• 16 mOhm
• 110 W
• -65…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1810 pF / 25 V | Заряд затвора: 66 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• I-Pak
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 20 A
• 1,7 Ohm
• 110 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 490pF / 25V | Заряд затвора: 24 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 75 V
• 20 В
• 42 A
• 26 mOhm
• 110 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2400 pF / 25 V | Заряд затвора: 110 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• D-Pak
• SMD
• Полевые P-канальные
• 150 V
• 20 В
• 13 A
• 295 mOhm
• 110 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 860 pF / 25 V | Заряд затвора: 66 nC / 10 V

• INFIN
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 30 В
• 14 A
• 235 mOhm
• 110 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 830 pF / 25 V | Заряд затвора: 38 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST Microelectronics
• TO-220
• Другое
• 550 В
• 56 A
• 25 В
• 110 W
• THT

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 14 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 10 | Полный...

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 60 A
• 55 В
• 110 W
• 16 В
• 23

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 56 A
• 55 В
• 110 W
• 20 В
• 70

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 2,7 A
• 4,3 A
• 800 В
• 110 W
• 30 В
• 17,2 A
• 32,4

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 10 A
• 14 A
• 500 В
• 110 W
• 25 В
• 56 A
• 34

• Infineon
• Полевые P-канальные
• 9 A
• 13 A
• 150 В
• 110 W
• 20 В
• 44 A
• 66

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 3,8 A
• 6 A
• 600 В
• 110 W
• 30 В
• 24 A
• 33

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 5 A
• 500 В
• 110 W
• 30 В
• 24

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 48 A
• 60 В
• 110 W
• 20 В
• 40

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 47 A
• 55 В
• 110 W
• 16 В
• 32

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 11 A
• 18 A
• 200 В
• 110 W
• 20 В
• 72 A
• 28

• Infineon
• Полевые P-канальные
• 22 A
• 31 A
• 55 В
• 110 W
• 20 В
• 110 A
• 63

• IGBT
• Infineon
• TO-247
• 1200 V
• 1.7 V
• 30 A
• 15 A
• 110 W