- Популярные
- Время добавления
- Цена
Код: 627854
- IGBT
- LUXIN
- THT
- TO-247
- 650 V
- 80 А
- 188 W
- -40…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 90 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 45ns | ...
В наличии
Код: 627750
- IGBT
- ST
- THT
- TO-3P
- 650 V
- 80 А
- 375 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 306 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 51ns | ...
В наличии
Код: 627667
- IGBT
- Crmicro
- THT
- TO-247
- 650 V
- 75 А
- 468 W
- -40…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 173 nC | Время включения: 119ns | Время выключения: 390ns
В наличии
Код: 627748
- IGBT
- Crmicro
- THT
- TO-247
- 650 V
- 50 А
- 416 W
- -40…+150°C
Примечание: Заряд затвора: 303 nC
В наличии
Код: 627869
- IGBT
- Crmicro
- THT
- TO-3PN
- 650 V
- 80 А
- 250 W
- -40…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 54ns | ...
В наличии
Код: 627659
- IGBT
- Crmicro
- THT
- TO-3PN
- 650 V
- 40 А
- 280 W
- -40…+150°C
Примечание: Заряд затвора: 165 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 42ns | ...
В наличии
Код: 627658
- IGBT
- Crmicro
- THT
- TO-247
- 650 V
- 80 А
- 280 W
- -40…+150°C
Примечание: Заряд затвора: 165 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 49ns | ...
В наличии
Код: 627634
- IGBT
- LUXIN
- THT
- TO-247
- 650 V
- 150 А
- 375 W
- -40…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 145 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 50ns |...
В наличии
Код: 627638
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 650 V
- 100 А
- 235 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 148 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 45ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT SGT75T65SDM1P7
Код: 627676
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 650 V
- 75 А
- 416 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 180 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 42ns
В наличии
Код: 627583
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-3P
- 650 V
- 120 А
- 450 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 110 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 55ns | ...
В наличии
Код: 627778
- IGBT
- LUXIN
- THT
- TO-220F
- 650 V
- 30 А
- 30,6 W
- -40…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 45 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5
В наличии
Транзистор IGBT IGP40N65H5XKSA1
Код: 627863
- IGBT
- INFIN
- THT
- TO-220
- 650 V
- 74 А
- 250 W
- -40…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 22ns | ...
В наличии
Код: 627727
- IGBT
- LUXIN
- THT
- TO-247
- 650 V
- 100 А
- -40…+150°C
Примечание: Заряд затвора: 255 nC | Время включения: 46ns | Время выключения: 129ns
В наличии
Код: 627677
- IGBT
- LUXIN
- THT
- TO-247
- 650 V
- 100 А
- 312 W
- -40…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 180 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT FGH75T65SHDT-F155
Код: 627607
- IGBT
- ONS
- THT
- TO-247
- 650 V
- 150 А
- 455 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 123 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 28ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT FGH75T65UPD-F085
Код: 627806
- IGBT
- ONS
- THT
- TO-247
- 650 V
- 150 А
- 375 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 578 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.69 | Время включения: 32ns |...
В наличии
Код: 627844
- IGBT
- AOS
- THT
- TO-247
- 650 V
- 180 А
- 166 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 84 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 35ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT RJH65T46DPQ-A0#T0
Код: 627625
- IGBT
- Renesas
- THT
- TO-247
- 650 V
- 80 А
- 340,9 W
- …+175°C
Примечание: Заряд затвора: 138 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 45ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT RJP65T43DPQ-A0#T2
Код: 627825
- IGBT
- Renesas
- THT
- TO-247
- 650 V
- 60 А
- 150 W
- …+175°C
Примечание: Заряд затвора: 69 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 35ns | ...
В наличии
Код: 627688
- IGBT
- INFIN
- THT
- TO-247
- 650 V
- 250 W
- -40…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 193 nC | Время включения: 42ns | Время выключения: 432ns
В наличии
Транзистор IGBT RJH65T14DPQ-A0#T0
Код: 627838
- IGBT
- Renesas
- THT
- TO-247
- 650 V
- 100 А
- 250 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 80 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 38ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT IKW40N65RH5XKSA1
Код: 627862
- IGBT
- INFIN
- THT
- TO-247
- 650 V
- 74 А
- 250 W
- -40…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 18ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT IKFW40N65ES5XKSA1
Код: 627827
- IGBT
- INFIN
- THT
- PG-HSIP247-3-2
- 650 V
- 79 А
- 230 W
- -40…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 70 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 17ns | Время выключения: 124ns
В наличии