Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Температурный диапазон -40…+150°C

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 40 А
• 280 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 165 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 42ns | ...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 416 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 303 nC

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 280 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 165 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 49ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 255 nC | Время включения: 46ns | Время выключения: 129ns