Транзисторы для электронных компонентов. Страница 2

• Биполярные NPN
• ST
• TO-92
• 50 MHz
• 300 V
• 300 V
• 0.5 A
• 40
• THT

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220
• 900 V
• THT
• 5.8 A
• 1350

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220
• 60 V
• THT
• 50 A
• 1500

• Биполярные NPN
• ST
• TO-126
• 80 V
• 80 V
• 1.5 A
• THT

• Биполярные NPN
• ST
• TO-220
• 100 V
• 100 V
• 8.0 А
• THT

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220FP
• 600 V
• THT
• 0.25
• 905

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220FP
• 800 V
• THT
• 6.2 A

• Полевые N-канальные
• ST
• I-Pak
• 800 V
• THT
• 2.5 A
• 485

• ST
• IGBT
• THT
• TO-247
• 650 V
• 1.55 V
• 357
• 30 V
• 71 A
• 207 nC

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 100 А
• 535 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 210 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 60 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 306 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 51ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 75 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 225 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 47ns |...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 45 А
• 230 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 153 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 18ns |...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 30 А
• 260 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 149 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 46ns |...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 85 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 28ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 259 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 67 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Время включения: 23ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 71 А
• 357 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 207 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 22ns |...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 283 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 210 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 167 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 116 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 38ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 42 А
• 140 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 53 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 25ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220AB
• 1200 V
• 30 А
• 283 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 53 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 26ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-3P
• 650 V
• 80 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 306 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 51ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 187 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 5 А
• 62,5 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 18 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 19ns | Время выключения: 160ns