Транзисторы для электронных компонентов. Температурный диапазон -55...+150°C. Тип монтажа SMD. Страница 4

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 200 V
• 2 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.15 | Напряжение коллектор-база, В: 220

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 150 V
• 5 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 250

• Биполярные PNP
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT223
• 40 V
• 3 А
• 350
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.15 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT323
• 50 V
• 0,1 А
• 60
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 27 А
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 80 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 11ns | Время выключения: 72ns

• IGBT
• Ir
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 600 V
• 16 А
• 42 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 35 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 15 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 68ns | ...

• IGBT
• Fair
• SMD
• SO8
• 2,5 W
• -55...+150°C

• Биполярные PNP
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,5 А
• 200
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT723
• 50 V
• 0,1 А
• 27
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• TO-261
• 40 V
• 3 А
• 400
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 140
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 350 V
• 0,5 А
• 200
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 350

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 12 V
• 2,5 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.18 | Напряжение коллектор-база, В: 12

• Другое
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 20 V
• 2,5 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.13 | Напряжение коллектор-база, В: 20

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 2 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• ZTX
• SMD
• SOT23
• 450 V
• 0,15 А
• 50
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.09 | Напряжение коллектор-база, В: 500

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 400 V
• 0,225 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 400

• Биполярные PNP
• ONS-FAIR
• SMD
• SOT23
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• 450
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT223
• 80 V
• 1 А
• 250
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• 475
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• 475
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50