Транзисторы для электронных компонентов. Температурный диапазон -55...+150°C. Тип монтажа SMD

• IGBT
• NCE
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 20 А
• 83 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 44 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 20ns | ...

• VISH/IR
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 3,3 A
• 3 Ohm
• 83 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 340 pF / 25 V | Заряд затвора: 17 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS
• DPAK-3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 4,1 A
• 2 Ohm
• 83 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 640 pF / 25 V | Заряд затвора: 29 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 20 В
• 3,2 A
• 1,2 Ohm
• 83 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 310µA | Ёмкость затвора: 710 pF / 100 V | Заряд затвора: 28 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 20 В
• 5,7 A
• 950 mOhm
• 83 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.9V / 250µA | Ёмкость затвора: 785 pF / 100 V | Заряд затвора: 31 nC / 10 V

• INFIN
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 20 В
• 6 A
• 900 mOhm
• 83 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.9V / 250µA | Ёмкость затвора: 785 pF / 100 V | Заряд затвора: 41 nC / 10 V | Диапазон номинальных...