Транзисторы для электронных компонентов. Температурный диапазон -55...+150°C. Тип монтажа SMD

• Vbsemi
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 30 В
• 9 A
• 0,4 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 525 pF / 25V | Заряд затвора: 17 nC / 10 V

• Vbsemi
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 9 A
• 280 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1080 pF / 25 V | Заряд затвора: 21 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 25 В
• 9 A
• 480 mOhm
• 85 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 620 pF / 100 V | Заряд затвора: 17 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 9 A
• 0,85 Ohm
• 148 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1038 pF / 25 V | Заряд затвора: 27 nC / 10 V

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 12 V
• 8 В
• 9 A
• 16 mOhm
• 3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 4750 pF / 6 V | Заряд затвора: 47 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 12 V
• 8 В
• 9 A
• 19 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 0.85V / 250µA | Ёмкость затвора: 2100pF / 6V | Заряд затвора: 23 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...