Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 52

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 25 V
• 0,8 А
• 320
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Другое
• Rohm
• SMD
• SOT363
• 0,3 V
• 0,1 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 3

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-18
• 40 V
• 0,6 А
• 300
• …+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 35 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 55 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 30ns | ...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 90 А
• 329 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 63ns | Время выключения: 142ns

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT-23
• 60 V
• 0,5 А
• 0,25 W
• 2000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 15
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 27
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-220
• 800 V
• 4 А
• 40
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 1600

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 283 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 226 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 52ns | ...

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• SO-16
• 50 V
• 0,5 А

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 100 V
• 8 А
• 80 W
• 20000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Другое
• Nexperia
• SMD
• SOT363
• 50 V
• 0,1 А
• 80
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.15 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 40 V
• 0,1 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,5 А
• 400
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-3PBL
• 1200 V
• 50 А
• 312 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 200 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.65 | Время включения: 50ns |...

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 65 V
• 0,1 А
• 220
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,5 А
• 20000
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-251
• 100 V
• 8 А
• 1,75 W
• 100

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Другое
• Rohm
• SMD
• SOT363
• 0,3 V
• 0,1 А
• 68
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 1.4

• Другое
• MIT

• Другое
• TI
• SMD
• SO14-150
• -40...+85°C

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT-23
• 30 V
• 0,5 А
• 0,36 W
• 4000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT223
• 40 V
• 3 А
• 350
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.15 | Напряжение коллектор-база, В: 40