Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 51

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 8,5 A
• 0,024 Ohm
• 3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1050 pF / 15 V | Заряд затвора: 12 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 13 A
• 14,5 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1885 pF / 15 V | Заряд затвора: 31 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• DFN8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 12 В
• 47 A
• 2,1 mOhm
• 7.3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 10290 pF / 10 V | Заряд затвора: 330 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 25 В
• 24 A
• 16,5 mOhm
• 4.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1180 pF / 15 V | Заряд затвора: 34 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 34 A
• 6,2 mOhm
• 5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1650 pF / 30 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 50 A
• 2,8 mOhm
• 6.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 3120 pF / 15 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 50 A
• 1,7 mOhm
• 6.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 2994 pF / 15 V | Заряд затвора: 65 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 32 A
• 3 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1835 pF / 15 V | Заряд затвора: 40 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 28 A
• 3,3 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 2250 pF / 15 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 32 A
• 6,1 mOhm
• 33 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 920pF / 15V | Заряд затвора: 20nC / 10 V

• AOS
• 8-DFN(5x6)
• SMD
• Другое
• 30 V
• 16 A
• 14 mOhm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1995pF / 15V | Заряд затвора: 20nC / 10V

• 26 A
• 50 mA
• 600 V
• Luguang Electronic

• 58 A
• 41.7 W
• 100 В
• 20 В
• Wayon

• 220 A
• 66 W
• 80 В
• 20 В
• Infineon
• TDSON-8
• SMD
• Другое

• Супербыстрые

• 1 A
• 1 Вт
• 120 V
• 100 V
• 5 V
• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 150 МГц

• Yangjie
• Однофазный
• KBU
• THT

• 450
• 600
• ST
• 1500
• 50
• 40
• 25
• 90
• 50
• 4
• 1.6
• TYNxx25
• 14
• 16
• 300

Примечание: Напряжение пробоя (VBR), В 6.45 | Максимальная импульсная мощность (PPPM), Вт 1500 | Полярность uni | Максимальный импульсный ток диода...

• Другое

• Другое

• 0,225 W
• On Semiconductor
• Другое

• Ограничительные

• 0.6 А
• 60 V
• 40 V
• Cj
• TO-92
• Биполярные PNP