Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 51

• 0.4 W
• 60 В
• 20 В
• Fairchild
• TO-92
• SMD
• Другое

• Шоттки

Примечание: Производитель: JSCJ | Корпус: SOT-23 Возвратное напряжение, Vrrm: 40 V | Прямой ток (per leg), If: 0,2A | Падение напряжения, Vf: 0,38 V...

• Ограничительные

Примечание: Производитель: SUNMATE | Корпус: SMB (DO-214AA | Пиковая мощность: 600 W | Напряжение пробоя, Vbr: 19,2 V | Постоянное обратное...

• Выпрямительные и импульсные

Примечание: Производитель: Jingdao | Корпус: SOD-123 Uзр., V: 75 V | Iвыпр., A: 0,15 A | Описание: импульсное | Монтаж: SMD Падение напряжения Vf: 1 V

• 50
• 500
• Luguang Electronic
• 130
• 50
• 12
• 40
• 20
• 1.4
• BT151xx
• 7.5
• 12

• IGBT
• Не указан

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 714 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.35 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 36ns...

• Другое
• Не указан
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 3 А
• 560
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.19 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 34,5 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 650 V
• 160 А
• 390 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 331 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 286 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 176 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 298 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 230 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 60 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 6ns | ...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• TO-252-3
• 600 V
• 12 А
• 100 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 48 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 7ns | ...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3P(N)
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 81.5 nC

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 18ns | ...

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-18
• 45 V
• 0,2 А
• 180

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 84 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 1000 V
• 50 А
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 0.33us | Время выключения:...

• Биполярные NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 39
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• ВЧ
• INFIN

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 40 V
• 0,6 А
• 375
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Биполярные PNP
• Rohm
• SMD
• MPT3
• 50 V
• 3 А
• 270
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.15 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 75 А
• 270 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 203 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 48ns | ...