Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 232

• Vishay
• DO-35
• THT
• 3.9
• 5 mA
• 0,4 W
• 2.4 mV/K

• Nexperia
• SOD-80
• SMD
• 18
• 5 mA
• 0,4 W
• 14.4 mV/K

• Nexperia
• SOD-80
• SMD
• 12
• 5 mA
• 0,4 W
• 8.4 mV/K

• On
• DO-201
• THT
• 82
• 15 mA
• 5 W

• Hope RF
• 24x14x1,95 мм.
• 2400...2500 МГц
• 1,8...3,7 V
• SPI
• RF
• -40...+85°C

Примечание: Rx чувствительность:-132dBm 1 Kbps 2.4GHz.

• On
• TO-220AB
• 600 V
• 35 mA
• 16 A

• Супербыстрые

Примечание: Производитель: NXP | Корпус: SOD-87 | Vrr, V: 600 V | Iav, A: 1,5 A | Монтаж: SMD

• Guerte
• 94x73x36 мм
• 1600 V
• 200 A
• Диодная сборка
• 1800 A

• Guerte
• 47x30x8,5 мм
• 1600 V
• 50 A
• Диодная сборка
• 400 A

• Guerte
• 126x63x55 мм
• 1600 V
• 500 A
• Диодная сборка
• 4000 A

• Полевые N-канальные
• A&O
• TO-220F
• 650 V
• THT
• 7.0 А
• 887

• Датчик положения

• Датчик расстояния
• Аналоговый
• Высоковольтные

Примечание: Определяемое расстояние от 10 до 80 см. 3х выводной разъём JST, отношение выходного напряжения датчика к обратно пропорционально...

• Ограничительные

Примечание: Производитель: ST | Корпус: DO-201 | Пиковая мощность: 1500 W | Напряжение пробоя, Vbr: 28,2 V | Постоянное обратное напряжение, Vrm: 33...

• Биполярные PNP
• Secos
• TO-92S
• 80 MHz
• 50 V
• 50 V
• 0.15 A
• 400

• Биполярные PNP
• TO-92
• 120 MHz
• 150 V
• 150 V
• 0.05 A

• Yj
• DB-1 (DIL (8.3x6.4)), DIP
• 1000 V
• 1,0 А
• Однофазный
• 50 A
• THT

Примечание: Может заменить: DB101, DB102, DB103, DB104, DB105, DB106, DB101G, DB102G, DB103G, DB104G, DB105G, DB106G, DB107G, DF005M, DF01M, DF02M,...

• Биполярные PNP
• Nxp
• TO-126
• 160 MHz
• 80 V
• 100 V
• 1.5 A
• 250

• Биполярные PNP
• Fairchild
• TO-92
• 100 MHz
• 45 V
• 50 V
• 0.8 A
• 450

• Биполярные PNP
• 120 MHz
• 20 V
• 30 V
• 5.0 А

• Биполярные PNP

• Биполярные NPN
• TO-92
• 200 MHz
• 20 V
• 25 V
• 0.05 A
• THT

• Биполярные NPN
• TO-92
• 50 MHz
• 140 V
• 160 V
• 0.7 A
• THT

• Биполярные PNP
• TO-220
• 9 MHz
• 60 V
• 60 V
• 0.125