Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 231

• Биполярные PNP
• ZTX
• SMD
• SOT223
• 500 V
• 0,15 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 500

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247-3
• 1350 V
• 80 А
• 394 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 234 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.4 | Время выключения: 250ns

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• TO-126
• 300 V
• 0,5 А
• 30
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 3

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-126
• 300 V
• 0,5 А
• 30
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 3

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO247-3
• 1200 V
• 15 А
• 110 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 85 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 50ns | ...

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT-343-4
• 4 V
• 0,025 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 1.2 | Напряжение коллектор-база, В: 13

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• SOT223
• 1200 V
• 0,2 А
• 3
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 400 V
• 1,5 А
• 35
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 165 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 63 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 13ns | ...

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 24ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 174 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 119 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 12ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 25ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 57 nC

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 650 V
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 57 nC | Время включения: 20.5ns | Время выключения: 96ns

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TOP-3FP
• 600 V
• 80 А
• 115 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 119 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 12ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 334 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 60ns |...

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-247
• 60 V
• 15 А
• 15
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.1 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 600 V
• 30 А
• 30 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 81 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 24.5ns |...

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3
• 60 V
• 0,5 А
• 100
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные PNP
• Nexperia
• SMD
• TSOP6
• 40 V
• 4 А
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-247
• 350 V
• 10 А
• 150 W
• 150

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-225
• 350 V
• 0,3 А
• 200
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 450

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-225
• 350 V
• 0,5 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 375

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 600 V
• 16 А
• 32 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 55 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 30ns | ...