Електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 5

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 11 А
• 28 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 34.4 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 22.5ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 130 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 53 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 25ns | Час виключення:...

• Інше
• ST
• THT
• DIP-16
• 80 V
• 1,75 А
• -20...+85°C

• Біполярні PNP
• ST
• THT
• TO-225
• 80 V
• 4 А
• 80
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 80

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 6 А
• 48 W
• …+175°C

Примітка: Заряд затвора: 18 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 125us

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• ISOWATT218
• 800 V
• 24 А
• 30
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 1700

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247-long-leads
• 1300 V
• 33 А
• 180 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 127 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час виключення: 284ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 70 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 135 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.7 | Час включення: 46ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 35 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 140 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 30ns | Час виключення: 175ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247-3
• 600 V
• 60 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 96 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 29ns | Час виключення:...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 100 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 31ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 15 А
• 56 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 13.6 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 12ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 20 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 19 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 17ns | Час виключення:...

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 360 V
• 25 А
• 125 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 29 nC | Напруга затвор - емітер, В: 12 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.35 | Час включення: 650ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 1200 V
• 6 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 24 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.8 | Час включення: 15ns | Час виключення:...

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• TO-220
• 100 V
• 1 А
• 75
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні PNP
• ST
• THT
• TO-220
• 80 V
• 5 А
• 1000
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• ST
• THT
• TO-220
• 60 V
• 2 А
• 1000
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.5 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• SOT82
• 1000 V
• 0,5 А
• 125
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 1000

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• TO-247
• 400 V
• 15 А
• 135 W
• 300

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5

• Біполярні PNP
• ST
• THT
• TO-220F
• 100 V
• 12 А
• 20000
• …+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• TO-220FP
• 100 V
• 12 А
• 80 W
• 100

Примітка: Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• TO-126
• 80 V
• 1,5 А
• 250
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 80

• Інше
• ST
• DIP-16
• 50 V
• 0,5 А
• 1000