Електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 4

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 7,5 А
• 38 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 12 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.45 | Час включення: 11ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1,25 V
• 40 А
• 259 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 68 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.55 | Час виключення: 106ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 600 V
• 7 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 34.4 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 22.5ns | Час...

• IGBT
• ST

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 10 А
• 65 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 19.2 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 14.2ns | Час...

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• TO-126
• 300 V
• 0,5 А
• 30
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 3

• Біполярні NPN
• ST
• SMD
• SOT223
• 1200 V
• 0,2 А
• 3
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 250 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 57 nC

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 650 V
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 57 nC | Час включення: 20.5ns | Час виключення: 96ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 334 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 60ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 600 V
• 16 А
• 32 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 55 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 30ns | Час виключення:...

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 25 А
• 70 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 35 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 18.5ns | Час...

• Біполярні PNP
• ST
• THT
• TO-92-3
• 400 V
• 1 А
• 32
• -65…+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 500

• IGBT
• ST
• THT
• I2PAK
• 345 V
• 40 А
• 176 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 49 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.15 | Час включення: 1.1µs | Час виключення: 26.5µs

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 425 V
• 40 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 51 nC | Напруга затвор - емітер, В: 12 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 2.3us | Час виключення:...

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 420 V
• 30 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 29 nC | Напруга затвор - емітер, В: 12 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 650ns | Час...

• Біполярні PNP
• ST
• SMD
• SOT223
• 400 V
• 1,5 А
• 32
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• TO-220
• 800 V
• 4 А
• 40
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 1600

• Біполярні NPN
• ST
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 100 V
• 8 А
• 12000
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні NPN
• ST
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 80 V
• 8 А
• 60
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 283 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 226 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 52ns | Час...

• Біполярні NPN
• ST
• SMD
• SO-16
• 50 V
• 0,5 А

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• TO-220
• 100 V
• 12 А
• 400
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні NPN
• ST
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 300 V
• 0,5 А
• 30
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 300