Електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 15

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 45 А
• 187 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 167 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.05 | Час включення: 23ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247AD
• 1200 V
• 21 А
• 167 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 53 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.7 | Час включення: 22ns | Час виключення:...

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 208 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 170 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 36ns | Час...

• IGBT
• Fair
• SMD
• SO8
• 2,5 W
• -55...+150°C

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 30 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 141 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 20ns | Час виключення: 250ns

• 160 А
• 100 A
• 160 А
• 480 Вт
• 1,75 V
• 1200 V
• Infineon
• 33 нс
• 314 нс
• є
• IGBT

• IGBT

Примітка: Напруга колектор емітер (UCES), 600 | Максимально допустимий струм колектора (Ic), А 60 | Максимально допустимий струм колектора при 100°C...

• IGBT

• IGBT

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 40 A
• 20 A
• 160 Вт
• 1.72 V
• 160 А
• ні
• 110 нс
• 34 нс

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 100

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 1200 V
• 80 A
• 40 A
• 483 Вт
• 2.05 V
• ні
• 160 А
• 290 нс
• 30 нс

Примітка: Маркування: G40H1203 | Повний заряд затвора, нКл: 185

• ST Microelectronics
• TO-247
• IGBT
• 1250 V
• 60 A
• 30 A
• 375 Вт
• 2.65 V
• 120 А
• є
• 132 нс
• 128 нс

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 114

• ST Microelectronics
• TO-247
• IGBT
• 1200 V
• 60 A
• 30 A
• 220 Вт
• 2.2 V
• є
• 275 нс
• 29 нс
• 152 н

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 110

• IGBT

Примітка: Виробник: Alfa@Omega | Корпус: PG-TO247-3 | Vces: 600 V | Vce: 1,8 V | Ic 25: 70 A | Ic 100: 40 A | Pd 25: 290 W | td(on)/td(off) 100-150...

• 7.7 A
• 14.3 A
• 34 W
• 1.66 V
• 600 V
• Ir
• TO-220
• IGBT

• 60 A
• 105 A
• 595 W
• 2.5 V
• 1200 V
• Ir
• Super-247
• IGBT

• Toshiba
• IGBT
• 600 V
• 30 A
• 2 V
• 170 Вт
• є
• 30 нс
• 90 нс

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 40 A
• 22 A
• 2,05 V
• 220 Вт
• 68
• 80 А
• є
• 115 нс
• 42 А
• 20 нс
• 42 н

• On Semiconductor
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 40 A
• 2,1 V
• 268 Вт
• 72,2
• 120 А
• є
• 65,6 нс
• 120 А
• 19,2 нс
• 31,8 н

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 100 A
• 50 A
• 1,85 V
• 333 Вт
• 315
• 200 А
• ні
• 235 нс
• 23 нс

• On Semiconductor
• IGBT
• 600 V
• 60 A
• 30 A
• 2,3 V
• 176 Вт
• 37,4
• 90 А
• є
• 42,4 нс
• 6 А
• 12 нс
• 26 н

• Magnachip
• IGBT
• 650 V
• 100 A
• 50 A
• 1,65 V
• 375 Вт
• 287
• є
• 328 нс
• 58 нс

• Infineon
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 56 A
• 1,6 V
• 305 Вт
• 120
• 150 А
• ні
• 175 нс
• 21 нс

• Infineon
• IGBT
• 1200 V
• 50 A
• 25 A
• 2,05 V
• 326 Вт
• 115
• 100 А
• ні
• 347 нс
• 26 нс