Електронні компоненти для електронних компонентів. Ic* 80 A

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 336 Вт
• 1.9 V
• є
• 120 А
• 120 А
• 178 нс
• 56 нс
• 48 н

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 239

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 1200 V
• 80 A
• 40 A
• 483 Вт
• 2.05 V
• ні
• 160 А
• 290 нс
• 30 нс

Примітка: Маркування: G40H1203 | Повний заряд затвора, нКл: 185

• On Semiconductor
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 40 A
• 2,1 V
• 268 Вт
• 72,2
• 120 А
• є
• 65,6 нс
• 120 А
• 19,2 нс
• 31,8 н

• Infineon
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 56 A
• 1,6 V
• 305 Вт
• 120
• 150 А
• ні
• 175 нс
• 21 нс

• Trinnotech
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 2,3 V
• 236 Вт
• 115
• 120 А
• є
• 85 нс
• 40 нс
• 60 н

• On Semiconductor
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 40 A
• 2,5 V
• 349 Вт
• 119
• 120 А
• є
• 92 нс
• 120 А
• 12 нс
• 42 н

• Infineon
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 56 A
• 1,65 V
• 305 Вт
• 120
• є
• 180 нс
• 21 нс
• 32 н

• On Semiconductor
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 1,85 V
• 257 Вт
• 171
• 160 А
• є
• 174 нс
• 160 А
• 85 нс

• Infineon
• IGBT
• 1200 V
• 80 A
• 40 A
• 2,05 V
• 483 Вт
• 185
• 160 А
• є
• 290 нс
• 160 А
• 30 нс
• 355 н

• On Semiconductor
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 1,8 V
• 290 Вт
• 120
• 120 А
• є
• 112 нс
• 24 нс
• 45 н

• Infineon
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 80 A
• 1,42 V
• 395 Вт
• 164
• є
• 144 нс
• 200 А
• 40 нс
• 140 н

• Silanmicro
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 1,8 V
• 290 Вт
• 100
• 120 А
• є
• 110 нс
• 18 нс
• 32 н

• On Semiconductor
• IGBT
• 1200 V
• 80 A
• 40 A
• 2 V
• 260 Вт
• 415
• 160 А
• є
• 385 нс
• 160 А
• 130 нс

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 1,95 V
• 306 Вт
• 223
• 160 А
• є
• 197 нс
• 160 А
• 19 нс

• Infineon
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 50 A
• 1,65 V
• 275 Вт
• 120
• 200 А
• є
• 172 нс
• 200 А
• 25 нс
• 81 н

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 75 A
• 1,5 V
• 428 Вт
• 470
• 225 А
• є
• 330 нс
• 225 А
• 33 нс
• 182 н

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 61 A
• 1,6 V
• 319 Вт
• 249
• 150 А
• є
• 215 нс
• 150 А
• 20 нс
• 194 н

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 60 A
• 1,85 V
• 416 Вт
• 375
• 180 А
• ні
• 252 нс
• 27 нс

• Trinnotech
• IGBT
• 1200 V
• 80 A
• 40 A
• 2 V
• 347 Вт
• 200 А
• є

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 1,95 V
• 306 Вт
• 223
• 160 А
• ні
• 197 нс
• 19 нс

• On Semiconductor
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 40 A
• 1,8 V
• 290 Вт
• 120
• 120 А
• є
• 112 нс
• 24 нс
• 45 н

• Magnachip
• IGBT
• 1200 V
• 80 A
• 40 A
• 2 V
• 357 Вт
• 341
• 160 А
• є
• 308 нс
• 160 А
• 35 нс
• 100 н

• Infineon
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 56 A
• 1,6 V
• 305 Вт
• 120
• 150 А
• є
• 175 нс
• 150 А
• 21 нс
• 52 н

• Silanmicro
• IGBT
• 1200 V
• 80 A
• 40 A
• 1,8 V
• 428 Вт
• 160 А
• є