Електронні компоненти для електронних компонентів

• TOS
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 В
• 12 A
• 520 mOhm
• 45 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 1mA | Ємність затвора: 1350 pF / 25 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Umw
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 20 В
• 10 A
• 0,9 Ohm
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 1570 pF / 25 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-220F
• 650 V
• 30 А
• 30,6 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 45 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 298 W
• …+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7

• Не вказано
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 10 A
• 1 Ohm
• 50 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 135 pF / 25 V | Заряд затвора: 19.4 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 34,5 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 38 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 25 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 32ns | Час виключення:...

• ST
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 25 В
• 13 A
• 280 mOhm
• 25 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 791 pF / 100 V | Заряд затвора: 21.5 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 В
• 5 A
• 2,15 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 62.7 pF / 25 V | Заряд затвора: 9.27 nC / 10 V

• ONS-FAIR
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 В
• 18 A
• 265 mOhm
• 38.5 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 2860 pF / 25 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Fair
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 В
• 12 A
• 540 mOhm
• 42 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 1930 pF / 25 V | Заряд затвора: 39 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 34 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 63 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 16ns | Час виключення:...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-220F
• 650 V
• 30 А
• 48 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 61 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 19ns | Час...

• Vbsemi
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 20 A
• 0,19 Ohm
• 200 W
• …+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V | Ємність затвора: 105 pF | Заряд затвора: 71 nC

• ST
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 В
• 10 A
• 640 mOhm
• 35 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.5V / 100µA | Ємність затвора: 1740 pF / 25 V | Заряд затвора: 59 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• ONS-FAIR
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 В
• 9 A
• 850 mOhm
• 44 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 1030 pF / 25 V | Заряд затвора: 35 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Біполярні PNP
• TO-220F
• 60 MHz
• 50 V
• 60 V
• 5.0 А

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-220F
• 100 V
• 5 А
• 1000
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 100

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 15 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 25.4 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 40ns | Час...

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-220F
• 800 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 1100

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-220F
• 400 V
• 8 А
• 60
• -50…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 700

• Біполярні NPN
• Nxp
• THT
• TO-220F
• 450 V
• 8 А
• 35
• …+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 1000

• Біполярні NPN
• Nxp
• THT
• TO-220F
• 450 V
• 5 А
• 30
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 1000

• Біполярні PNP
• ST
• THT
• TO-220F
• 100 V
• 12 А
• 20000
• …+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 100