Електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 17

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 120 V
• 1 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 140

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 100 V
• 6 А
• 30
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 150 V
• 1 А
• 100
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 170

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT223
• 12 V
• 0,06 А
• 130
• -40…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 24

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 12 V
• 6 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.36 | Напруга колектор-база, В: 15

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 100 V
• 5 А
• 100
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.42 | Напруга колектор-база, В: 140

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23-6
• 50 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.225 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 140 V
• 0,6 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 160

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 100 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 170

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT363
• 45 V
• 0,1 А
• -55...+150°C

• Біполярні PNP
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT-23
• 100 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.135 | Напруга колектор-база, В: 130

• IGBT
• AOS
• SMD
• TO-252
• 600 V
• 5 А
• 21,7 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 9.4 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 27ns | Час...

• Біполярні PNP
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,5 А
• 40
• -65…+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Nexperia
• SMD
• SOT323
• 50 V
• …+175°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 33
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 25 V
• 0,025 А
• -65…+150°C

Примітка: Напруга колектор-база, В: 25

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 16 V
• 0,05 А
• -40…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 24

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT323
• 12 V
• 0,05 А
• -40…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 24

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 12 V
• 0,065 А
• -40…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 24

• Біполярні PNP
• Rohm
• SMD
• SOT23
• 0,5 А
• …+150°C

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 32 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 32

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• TO-220
• 70 V
• 7 А
• 150
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3.5 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 60 V
• 1 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 80