Електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 15

• 4.3 A
• 114 W
• 0.625 В
• 20 В
• Diodes Incorporated
• SMD
• Інше

• 3.5 мм.
• 5.1 мм.
• 10 %
• W
• 5
• 200
• Металокераміка
• 0.25 W
• 500 V
• Вертикальна
• 3214
• 10 ком
• -65..+150°C
• 100 ppm/°
• SMD
• Підстроювальні
• 4.8 мм.

• 1072 A
• 114 W
• 40 В
• 20 В
• Wayon
• 13.8 нс
• 91 нс
• SMD
• Інше

• 0.5 Вт
• KLS
• 5 %
• 3.9
• BZV55
• SMD

• 0.5 Вт
• KLS
• 5 %
• 3.3
• BZV55
• 95 Ом
• SMD

• 2 W
• 30 В
• 20 В
• Infineon
• SO-8
• SMD
• Інше

• Інше
• DIODES
• SMD
• SOT223-8
• 17,5 V
• 5 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,5 А
• 250
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Jscj
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 2 А
• 240
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Rohm
• SMD
• SC-96
• 60 V
• 2 А
• 120
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 60

• IGBT
• NCE
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 60 А
• 190 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 132 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 20 А
• 83 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 44 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 20ns | Час виключення:...

• IGBT
• NCE
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 14 А
• 73 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 28 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 20ns | Час виключення:...

• IGBT
• NCE
• SMD
• TO-263
• 600 V
• 12 А
• 73 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 28 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 20ns | Час виключення:...

• IGBT
• LUXIN
• SMD
• D2PAK
• 236 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 67 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 29ns | Час виключення: 46ns

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 650 V
• 4 А
• 68 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 15.2 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 12ns | Час виключення: 86ns

• IGBT
• INFIN
• SMD
• TO-252-3
• 600 V
• 12 А
• 100 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 48 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 7ns | Час виключення:...

• IGBT
• AOS
• SMD
• DPAK
• 650 V
• 5 А
• 28 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 14 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.57 | Час включення: 8.5ns | Час...

• Біполярні NPN
• Не вказано
• SMD
• SOT23
• -55...+150°C

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SC59-3
• 50 V
• 0,1 А
• 80
• -55...+150°C

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT26
• 150 V
• 0,2 А
• 50
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 160

• Біполярні PNP
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 90
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,5 А
• 40
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 60