Електронні компоненти для електронних компонентів. Тип монтажу THT. Сторінка 59

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 1200 V
• 20 А
• 330 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 143 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час виключення: 359ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 1200 V
• 100 А
• 652 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 235 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.75 | Час включення: 34ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 240 А
• 882 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 163 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 53ns | Час...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 180 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 40ns | Час...

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-3
• 120 V
• 50 А
• 1000
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 120

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 1 V
• 50 А
• 156 W
• …+150°C

Примітка: Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 0.33us | Час виключення: 0.70us

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 60 А
• 200 W
• …+175°C

Примітка: Заряд затвора: 70 nC | Час включення: 75ns | Час виключення: 400ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 5 А
• 62,5 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 18 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 19ns | Час виключення: 160ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 7,5 А
• 38 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 12 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.45 | Час включення: 11ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 74 А
• 255 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 95 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 19ns | Час виключення:...

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 650 V
• 160 А
• 625 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 125ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• SUPER247
• 600 V
• 160 А
• 833 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 772 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 46ns | Час...

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-225
• 300 V
• 0,5 А
• 240
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 300

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-126
• 60 V
• 1,5 А
• 250
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 60 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-126
• 80 V
• 4 А
• 475
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.8 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• Не вказано
• THT
• TO-92MOD
• 150 V
• 0,05 А
• 240
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 150

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 600 V
• 53 А
• 200 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 130 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 15ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 282 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 230 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.4 | Час включення: 45ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1,25 V
• 40 А
• 259 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 68 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.55 | Час виключення: 106ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 40 А
• 136 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 128 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.35 | Час включення: 16ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 80 А
• 333 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 435 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 28ns | Час...

• Біполярні NPN
• Samsung
• THT
• TO-92-3FORM
• 50 V
• 0,05 А
• -55...+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 99 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 19ns | Час виключення:...