Електронні компоненти для електронних компонентів. Тип монтажу THT. Сторінка 58

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 140 А
• 428 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 470 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 31ns | Час...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 150 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 578 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.69 | Час включення: 32ns | Час...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 180 А
• 166 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 84 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.95 | Час включення: 35ns | Час...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 208,3 W
• …+150°C

Примітка: Заряд затвора: 87 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 54ns | Час виключення:...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 340,9 W
• …+175°C

Примітка: Заряд затвора: 138 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 45ns | Час...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-3PFM
• 600 V
• 60 А
• …+150°C

Примітка: Час включення: 45ns | Час виключення: 70ns

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 260,4 W
• …+150°C

Примітка: Заряд затвора: 74 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 53ns | Час виключення: 90ns

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 60 А
• 150 W
• …+175°C

Примітка: Заряд затвора: 69 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 35ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 75 А
• 270 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 203 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 48ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 250 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 193 nC | Час включення: 42ns | Час виключення: 432ns

• IGBT
• Apec
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 60 А
• 208 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 63 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3.7 | Час включення: 40ns | Час виключення:...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 80 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 38ns | Час...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 120 А
• 250 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 128 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 73ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 74 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 95 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 18ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-HSIP247-3-2
• 650 V
• 79 А
• 230 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 70 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 17ns | Час виключення: 124ns

• IGBT
• Mcc
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 306 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 160 nC | Час включення: 12ns | Час виключення: 124ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 83 А
• 210 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 159 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.29 | Час включення: 17ns | Час...

• Біполярні PNP
• ZTX
• THT
• TO-92-3
• 140 V
• 0,5 А
• 250
• -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 140

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 80 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 68 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 18ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 650 V
• 60 А
• 238 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 54.7 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 14.4ns | Час...

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• IPAK-3
• 80 V
• 8 А
• 60
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 120 А
• 333 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 79 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 20.8ns | Час...

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 0,8 А
• 400
• -55...+150°C

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 306 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 223 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.95 | Час включення: 19ns | Час...