Електронні компоненти для електронних компонентів. Тип монтажу THT. Сторінка 4

• Panasonic
• Електролітичні вивідні
• 20 мм.
• THT
• 10 мм.
• 470 мкФ
• ±20%
• 35 V
• -55...+105°C
• FM
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 40 мм.
• THT
• 35 мм.
• 470 мкФ
• ±20%
• 450 V
• -25...+105°C
• HE
• Полярний

• CapXon
• Електролітичні вивідні
• 5 мм.
• THT
• 4 мм.
• 4.7 мкФ
• ±20%
• 50 V
• -40...+85°C
• SS
• Полярний

• CapXon
• Електролітичні вивідні
• 5 мм.
• THT
• 3 мм.
• 4.7 мкФ
• ±20%
• 25 V
• -40...+85°C
• SS
• Полярний

• Panasonic
• Електролітичні вивідні
• 25 мм.
• THT
• 16 мм.
• 1000 мкФ
• ±20%
• 50 V
• -40...+105°C
• FR
• Полярний

• Panasonic
• Електролітичні вивідні
• 20 мм.
• THT
• 10 мм.
• 1000 мкФ
• ±20%
• 25 V
• -40...+105°C
• FR
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 11 мм.
• THT
• 6.3 мм.
• 100 мкФ
• ±20%
• 16 V
• -40...+105°C
• WL
• Полярний

• FENCON
• Електролітичні вивідні
• 11 мм.
• THT
• 5 мм.
• 10 мкФ
• ±20%
• 16 V
• -40...+105°C
• RL
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 25 мм.
• THT
• 16 мм.
• 2200 мкФ
• ±20%
• 25 V
• -40...+105°C
• WL
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 25 мм.
• THT
• 16 мм.
• 1000 мкФ
• ±20%
• 50 V
• -40...+105°C
• WL
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 11 мм.
• THT
• 6.3 мм.
• 220 мкФ
• ±20%
• 10 V
• -40...+105°C
• WL
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 11 мм.
• THT
• 6.3 мм.
• 47 мкФ
• ±20%
• 50 V
• -40...+105°C
• WL
• Полярний

• FENCON
• Електролітичні вивідні
• 15 мм.
• THT
• 10 мм.
• 4.7 мкФ
• ±20%
• 400 V
• -25...+105°C
• GK
• Полярний

• CapXon
• Електролітичні вивідні
• 11 мм.
• THT
• 5 мм.
• 10 мкФ
• ±20%
• 25 V
• -40...+85°C
• NP
• Неполярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 11.5 мм.
• THT
• 8 мм.
• 470 мкФ
• ±20%
• 16 V
• -55...+105°C
• RD
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 25 мм.
• THT
• 13 мм.
• 3300 мкФ
• ±20%
• 16 V
• -55...+105°C
• RD
• Полярний

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 34,5 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 38 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 25 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 32ns | Час виключення:...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 650 V
• 120 А
• 450 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 110 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 55ns | Час...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 84 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 35 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 55 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 30ns | Час виключення:...

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 750
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.5 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• Fair
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 40