Електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 101

Примітка: Функціональний опис: POGO DIP - це пружинний контактор для надійних тимчасових або роз'ємних з'єднань. Висота від друкованої плати:...

Примітка: Опис: Магнітний роз'єм на дроті USB-A 4 контакту. Максимальне напруження: 5V/1A. | Кількість контактів: 4 | Монтаж: на дроті

Примітка: Виробник: OMOXI | Місткість: 1 F | Роб.напруга: 5,5 V | Габарити,межд.відстань: D = 21,5; L = 7,5 мм | Опис: Іоністор. Горизонтальне...

Примітка: Висота, мм 4.83 | Діаметр зовнішній 12.7 | Діаметр внутрішній 7.7 | Коефіцієнт індуктивності 4.9 nH Матеріал Fe | Серія T | Тип фільтра...

• 3 Вт
• Bourns
• 6.35x3.2x0.55 мм.
• 1 %
• 60 міліОм
• -55..+170°C
• 75 ppm/°
• SMD
• 2512

Примітка: Діаметр, мм: 22 | Висота, мм: 66 | Робоча напруга , Вольт: 380 | Рівень звуку, дБ: 80 | Мін. робоча температура, С: -25 | Макс. робоча...

Примітка: Діаметр, мм: 22 | Висота, мм: 66 | Робоча напруга , Вольт: 12 | Рівень звуку, дБ: 80 | Мін. робоча температура, С: -25 | Макс. робоча...

Примітка: Діаметр, мм: 20 | Висота, мм: 0.3 | Вбудований генератор: Ні

Примітка: Тип роз'єму: USB Type C | Монтаж: У панель | Ступінь захисту: Без захисту

Примітка: Тип роз'єму: micro USB | Монтаж: На плату | Ступінь захисту: Без захисту

Примітка: Тип роз'єму: USB-A | Монтаж: Кабель | Ступінь захисту: Без захисту

Примітка: Тип роз'єму: mini USB | Монтаж: Адаптер | Ступінь захисту: Без захисту

Примітка: Тип роз'єму: micro USB | Монтаж: Адаптер | Ступінь захисту: Без захисту

Примітка: Бренд: KLS | Тип роз'єму: USB-A | Монтаж: SMD | Ступінь захисту: Без захисту

• Hitano
• 36 мм.
• 18 мм.
• 2.2 uF
• 25 V
• Unkn
• -25...+105°C
• Електролітичні вивідні
• ±20%
• 7.5 мм.

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 34,5 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 38 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 25 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 32ns | Час виключення:...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 135 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 650 V
• 120 А
• 450 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 110 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 55ns | Час...

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 60 V
• 10 А
• 20
• -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 70

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 84 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 40 V
• 0,6 А
• 375
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 75