Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 7

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: TO-220|Uds,V: 30 V|Idd,A: 140 A,006 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 5000/140|Примітка: Керування логічним рівнем|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: Siliconix|Корпус: TO-220|Uds,V: 100 V|Idd,A: 28 A,077 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72|Монтаж: THT

• IGBT

Примітка: Виробник: Littelfuse|Корпус: DPAK|Vces: 400 V|Vce: 1,8 V|Ic 100: 20 A|Pd 25: 125 W

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: TO-220|Uds,V: 30 V|Idd,A: 260 A,003 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110|Примітка: Керування логічним рівнем|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: ST|Корпус: TO-247|Uds,V: 800 V|Idd,A: 10,5 A,65 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 2620/87|Монтаж: THT

• Біполярні NPN

Примітка: Корпус: TO-92Compatible|fT: 150 MHz|Uceo,V: 45 V|Ucbo,V: 60 V|Ic,A: 1 А|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: Siliconix|Корпус: TO-247|Uds,V: 500 V|Idd,A: 20 A,27 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: Renesas|Корпус: SC-62|Uds,V: 16 V|Idd,A: 3 А|Rds(on),25 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 240/|Монтаж: SMD

• ВЧ

Примітка: Виробник: NXP|Корпус: SON-8|Частота: 2.7 GHz

• Біполярні NPN

Примітка: Корпус: TO-218|fT: 3 MHz|Uceo,V: 600 V|Ucbo,V: 1500 V|Ic,A: 6 A|h21: 8|Монтаж: 0

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: NEC|Корпус: SP-8|fT: 95 MHz|Uceo,V: 50 V|Ucbo,V: 100 V|Ic,A: 1 А|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: A&O|Корпус: D-Pak-5 (TO-252-5)|Uds,V: 40 V|Idd,A: 8 А|Rds(on),033 Ohm|Ciss, pF/Qg|Монтаж: SMD

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: Panasonic|Корпус: TO-218|fT: 4 MHz|Uceo,V: 750 V|Ic,A: 5 А|Монтаж: THT

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: Savantic|Корпус: TO-3PN|fT: 3 MHz|Uceo,V: 800 V|Ucbo,V: 1500 V|Ic,A: 3,5 A|Монтаж: THT

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: Hitachi|Корпус: TO-126|fT: 150 MHz|Ucbo,V: 40 V|Ic,A: 2 А|Монтаж: THT

• ВЧ

Примітка: Виробник: NXP|Корпус: SOT-223|Частота: 6 GHz|Тип: NPN|Uce, V: 12 V|Ucb, V: 15 V|Ic, A: 0,06 A

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: NXP|Корпус: SOT-23|fT: 350 MHz|Uceo,V: 45 V|Ucbo,V: 50 V|Ic,A: 0,1 A|h21: 300|Монтаж: SMD

• IGBT

Примітка: Виробник: CRMICRO|Корпус: TO-3P|Vces: 600 V|Vce: 1,9 V|Ic 25: 80 A|Ic 100: 40 A|Pd 25: 280 W|td(on)/td(off) 100-150 град: 46,8/147,7

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: NXP|Корпус: TO-202|fT: 60 MHz|Uceo,V: 250 V|Ucbo,V: 250 V|Ic,A: 0,05 A|h21: 50|Монтаж: THT

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: Sanken|Корпус: TO-3P|fT: 6 MHz|Uceo,V: 550 V|Ucbo,V: 900 V|Ic,A: 5 А|Монтаж: THT

• Біполярні NPN

Примітка: Корпус: SOT-23|fT: 380 MHz|Uceo,V: 40 V|Ucbo,V: 40 V|Ic,A: 0,25 A|Монтаж: SMD

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: Toshiba|Корпус: TPS|fT: 150 MHz|Uceo,V: 20 V|Ucbo,V: 50 V|Ic,A: 0,5 A|Монтаж: THT

• Біполярні PNP

Примітка: Виробник: NXP|Корпус: TO-92|fT: 60 MHz|Uке, В: 250 V|Uкб, В: 250 V|Iк, А: 0,05 A|h21,max: 50

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: Savantic|Корпус: ITO-220|fT: 13 MHz|Uceo,V: 400 V|Ucbo,V: 500 V|Ic,A: 5 А|h21: 10|Монтаж: THT