Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 6

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: SOT-23|Uds,V: 30 V|Idd,A: 2,7 A|Rds(on), Ohm: 63 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9|Примітка: Керування логічним...

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: TO-247AC|Uds,V: 150 V|Idd,A: 121 A|Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 10470/151|Монтаж: THT

• IGBT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: JSMicro|Корпус: SO-8|Uds,V: 30 V|Idd,A: 7,3 A,032 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 1110/14|Монтаж: SMD

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: ON|Корпус: SOT-23|fT: 50 MHz|Uке, В: 300 V|Uкб, В: 300 V|Iк, А: 0,5 A

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: JSMICRO|Корпус: TO-220AB|Uds,V: 100 V|Idd,A: 60 A|Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: SOIC-8|Uds,V: 40 V|Idd,A: 9 А|Rds(on), Ohm: 15,5 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 2000/15|Примітка: -|Монтаж: SMD

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: Fairchild|Корпус: SOT-23|fT: 200 MHz|Uке, В: 40 V|Uкб, В: 40 V|Iк, А: 0,6 A|h21,max: 500

• IGBT

Примітка: Виробник: IR|Корпус: TO-220AB|Vces: 600 V|Vce: 1,85 V|Ic 25: 13 A|Ic 100: 6,5 A|Pd 25: 60 W|td(on)/td(off) 100-150 град: 38/100

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: D-Pak (TO-252)|Uds,V: 55 V|Idd,A: 56 A,016 A|Ciss, pF/Qg, nC: 2430/70|Монтаж: SMD

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: SO-8|Uds,V: 30 V|Idd,A: 6,3 A,029 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 650/22|Примітка: Два транзистори в одному корпусі|Монтаж: SMD

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: SO-8|Uds,V: 20 V|Idd,A: 5,3 A,029 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 900/18|Примітка: Два транзистори в одному корпусі|Монтаж: SMD

• Біполярні NPN

Примітка: Корпус: SOT-23|fT: 100 MHz|Uceo,V: 80 V|Ucbo,V: 80 V|Ic,A: 0,5 A|h21: 100|Монтаж: SMD

• Польові P-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: TO-220|Uds,V: 50 V|Id,A: 18 A|Rds(on),Om: 0,14 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 900/28|Монтаж: THT

• Польові P-канальні

Примітка: Виробник: Diodes|Корпус: SOT-26|Uds,V: 60 V|Id,A: 3 А|Rds(on),Om: 0,125 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 637/15,1|Монтаж: SMD

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: ON|Корпус: SOT-23|Uceo,V: 50 V|Ucbo,V: 50 V|Ic,A: 0,1 A|h21: 140|Примітка: Цифровий транзистор|Монтаж: SMD

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: Samsung|Корпус: TO-220F|Uds,V: 600 V|Idd,A: 3,2 A|Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 350/9,3|Примітка: Ізольований...

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: Infineon|Корпус: TO-220|Uds,V: 500 V|Idd,A: 7 А,6 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 750/3|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: Vishay|Корпус: TO-220|Uds,V: 550 V|Idd,A: 18 A,28 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: Infineon|Корпус: TO-220|Uds,V: 650 V|Idd,A: 3,2 A|Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 400/13|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: Toshiba|Корпус: TO-220F|Uds,V: 600 V|Idd,A: 6 А,9 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 1300/30|Примітка: Ізольований корпус|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: PQFN5*6|Uds,V: 150 V|Idd,A: 17 A,06 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 1350/21|Монтаж: SMD

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: Siliconix|Корпус: D2PAK (TO-263)|Uds,V: 400 V|Idd,A: 10 A,55 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63|Монтаж: SMD

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: TO-220|Uds,V: 30 V|Idd,A: 150 A|Примітка: Керування логічним рівнем|Монтаж: THT