Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 5

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: Toshiba|Корпус: TO-3PML|fT: 2 MHz|Uceo,V: 600 V|Ucbo,V: 1500 V|Ic,A: 6 А|h21: 25|Примітка: Ізольований корпус|Монтаж: THT

• ВЧ

Примітка: Виробник: Agilent Technology|Корпус: SOT-343|Частота: 1,9 GHz|Тип: NPN|Uce, V: 5,5 V|Ucb, V: -5 V

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: LGE|Корпус: TO-92|fT: 50 MHz|Uке, В: 300 V|Uкб, В: 300 V|Iк, А: 0,1 A|h21,max: 40

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: LGE|Корпус: TO-92|fT: 100 MHz|Uке, В: 45 V|Uкб, В: 50 V|Iк, А: 0,8 A|h21,max: 630

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: VBsemi|Корпус: D-Pak|Uds,V: 650 V|Idd,A: 4,5 A|Rds(on), Ohm: 2,1 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 1417/48|Монтаж: SMD

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: TO-263 (D2PAK)|Uds,V: 500 V|Idd,A: 8 A,85 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63|Монтаж: SMD

• Польові P-канальні

Примітка: Виробник: VBSEMI|Корпус: SO-8|Uds,V: 12 V|Id,A: 8,9 A|Rds(on),Om: 24 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 1877/20|Монтаж: SMD

• Польові P-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: SO-8|Uds,V: 20 V|Id,A: 2,3 A|Rds(on),Om: 0,25 Ohm|Монтаж: SMD

• IGBT

Примітка: Виробник: IR|Корпус: TO-220|Vces: 600 V|Vce: 2,21 V|Ic 25: 28 A|Ic 100: 16 A|Pd 25: 100 W

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: I-Pak|Uds,V: 40 V|Idd,A: 42 A|Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 2950/59|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: JSMICRO|Корпус: TO-220|Uds,V: 60 V|Idd,A: 50 A,022 Ohm|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: TO-220-5|Uds,V: 55 V|Idd,A: 11 А|Rds(on), Ohm: 48 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 320/8,9|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: Rohm|Корпус: SO-8|Uds,V: 30 V|Idd,A: 5 А,05 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 230/3,9|Примітка: Два транзистори в одному корпусі|Монтаж: SMD

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: SOT-23|Uds,V: 30 V|Idd,A: 2,7 A|Rds(on), Ohm: 63 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9|Примітка: Керування логічним...

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: TO-247AC|Uds,V: 150 V|Idd,A: 121 A|Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 10470/151|Монтаж: THT

• IGBT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: JSMicro|Корпус: SO-8|Uds,V: 30 V|Idd,A: 7,3 A,032 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 1110/14|Монтаж: SMD

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: SO-8|Uds,V: 30 V|Idd,A: 24 A,0028 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 5720/44|Монтаж: SMD

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: ON|Корпус: SOT-23|fT: 50 MHz|Uке, В: 300 V|Uкб, В: 300 V|Iк, А: 0,5 A

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: JSMICRO|Корпус: TO-220AB|Uds,V: 100 V|Idd,A: 60 A|Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: SOIC-8|Uds,V: 40 V|Idd,A: 9 А|Rds(on), Ohm: 15,5 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 2000/15|Примітка: -|Монтаж: SMD

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: Fairchild|Корпус: SOT-23|fT: 200 MHz|Uке, В: 40 V|Uкб, В: 40 V|Iк, А: 0,6 A|h21,max: 500

• IGBT

Примітка: Виробник: IR|Корпус: TO-220AB|Vces: 600 V|Vce: 1,85 V|Ic 25: 13 A|Ic 100: 6,5 A|Pd 25: 60 W|td(on)/td(off) 100-150 град: 38/100

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: D-Pak (TO-252)|Uds,V: 55 V|Idd,A: 56 A,016 A|Ciss, pF/Qg, nC: 2430/70|Монтаж: SMD