Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 5

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: TO-220|Uds,V: 40 V|Idd,A: 160 A,4 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 6590/140|Примітка: Керування логічним рівнем|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: Siliconix|Корпус: TO-247AC|Uds,V: 250 V|Idd,A: 38 A,075 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 5400/210|Монтаж: THT

• Біполярні NPN

• IGBT

Примітка: Виробник: ST|Корпус: TO-247|Vces: 600 V|Vce: 2,6 V|Ic 25: 100 A|Ic 100: 55 A|Pd 25: 285 W|td(on)/td(off) 100-150 град: 52/31

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: Intersil|Корпус: TO-220AB|Uds,V: 55 V|Idd,A: 75 A|Rds(on), Ohm: 8 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: /175|Монтаж: THT

• IGBT

Примітка: Виробник: Infineon|Корпус: TO-247-3|Vces: 600 V|Vce: 2,8 V|Ic 25: 100 A|Ic 100: 50 A

• IGBT

Примітка: Виробник: China|Корпус: TO-247AC|Vces: 1200 V|Vce: 2,74 V|Ic 25: 30 A|Ic 100: 15 A|Pd 25: 160 W

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: CJ|Корпус: TO-220|Uке, В: 100 V|Uкб, В: 100 V|Iк, А: 5 А|h21,max: 1000|Примітка: Дарлінгтон

• IGBT

Примітка: Виробник: ON|Корпус: TO-247|Vces: 600 V|Vce: 1,8 V|Ic 25: 75 A|Ic 100: 60 A|Pd 25: 463 W|td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: ST|Корпус: TO-220|Uке, В: 60 V|Uкб, В: 60 V|Iк, А: 5 А|Примітка: Дарлінгтон

• IGBT

Примітка: Виробник: Fairchild|Корпус: TO-247|Vces: 600 V|Vce: 1,8 V|Ic 25: 40 A|Ic 100: 20 A|Pd 25: 165 W|td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: D2PAK (TO-263)|Uds,V: 20 V|Idd,A: 47 A|Rds(on), Ohm: 7,9 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 1220/8,7|Монтаж: SMD

• Польові P-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: 8-TSSOP|Uds,V: 20 V|Id,A: 1,7 A|Rds(on),Om: 0,27 Ohm|Монтаж: SMD

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: PQFN5*6|Uds,V: 30 V|Idd,A: 10/23 A|Rds(on), Ohm: 8.6/3.0 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 1060/4450/8.3/34|Монтаж: SMD

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: CDIL|Корпус: TO-220|Uке, В: 100 V|Uкб, В: 100 V|Iк, А: 8 A|h21,max: 20000|Примітка: Дарлінгтон

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: PQFN5*6|Uds,V: 200 V|Idd,A: 20 A|Rds(on), Ohm: 99,9 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 1380/20|Монтаж: SMD

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: Toshiba|Корпус: TO-3PML|fT: 2 MHz|Uceo,V: 600 V|Ucbo,V: 1500 V|Ic,A: 6 А|h21: 25|Примітка: Ізольований корпус|Монтаж: THT

• ВЧ

Примітка: Виробник: Agilent Technology|Корпус: SOT-343|Частота: 1,9 GHz|Тип: NPN|Uce, V: 5,5 V|Ucb, V: -5 V

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: LGE|Корпус: TO-92|fT: 50 MHz|Uке, В: 300 V|Uкб, В: 300 V|Iк, А: 0,1 A|h21,max: 40

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: LGE|Корпус: TO-92|fT: 100 MHz|Uке, В: 45 V|Uкб, В: 50 V|Iк, А: 0,8 A|h21,max: 630

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: VBsemi|Корпус: D-Pak|Uds,V: 650 V|Idd,A: 4,5 A|Rds(on), Ohm: 2,1 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 1417/48|Монтаж: SMD

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: TO-263 (D2PAK)|Uds,V: 500 V|Idd,A: 8 A,85 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63|Монтаж: SMD

• Польові P-канальні

Примітка: Виробник: VBSEMI|Корпус: SO-8|Uds,V: 12 V|Id,A: 8,9 A|Rds(on),Om: 24 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 1877/20|Монтаж: SMD

• Польові P-канальні

Примітка: Виробник: IR|Корпус: SO-8|Uds,V: 20 V|Id,A: 2,3 A|Rds(on),Om: 0,25 Ohm|Монтаж: SMD