Транзистори для електронних компонентів

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: MAGNACHIP|Корпус: PDFN-56|Uds,V: 30 V|Idd,A: 73 A|Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 2521/41|Примітка: Single N-channel...

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: MAGNACHIP|Корпус: PDFN-56|Uds,V: 30 V|Idd,A: 66 A|Rds(on), Ohm: 6 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 1217/19|Примітка: Single N-channel Trench...

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: Siliconix|Корпус: |Uds,V: 600 V|Idd,A: 6,2 A|Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: ON|Корпус: |Uds,V: 60 V|Idd,A: 0,115 A|Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 50/|Монтаж: SMD

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: VBSemi|Корпус: |Uds,V: 100 V|Idd,A: 61 A|Ciss, pF/Qg, nC: 2880/41|Монтаж: SMD

• Біполярні PNP

Примітка: Виробник: NXP|Корпус: TO-225|fT: 160 MHz|Uке, В: 45 V|Uкб, В: 45 V|Iк, А: 1,5 A

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: SPTech|Корпус: TO-3P|Uceo,V: 400 V|Ucbo,V: 450 V|Ic,A: 10 А|Монтаж: THT

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: Jingdao|Корпус: SOT-23|fT: 300 MHz|Uceo,V: 160 V|Ucbo,V: 180 V|Ic,A: 0,6 A|h21: 250|Монтаж: SMD

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: VBsemi|Корпус: TO-220AB|Uds,V: 30 V|Idd,A: 260 A|Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110|Примітка: Керування логічним...

• Біполярні PNP

Примітка: Виробник: ST|Корпус: TO-247|Uке, В: 60 V|Uкб, В: 100 V|Iк, А: 15 A|h21,max: 20

Примітка: Vceo,V: 35 V|Спектр0.5,nm: 750-1120 nm|Додатково: Фототранзистор. Корпус PLCC2. Довжина хвилі у точці макс. чутливості 980нм. Кут 60°.|Тип:...

• ВЧ

Примітка: Виробник: Infineon|Корпус: TSFP-3|Частота: 14 GHz|Тип: NPN|Uce, V: 6 V|Ucb, V: 15 V|Ic, A: 0,08 A

• Біполярні PNP

Примітка: Виробник: CHENMKO|Корпус: SOT-89|fT: 100 MHz|Uке, В: 30 V|Uкб, В: 40 V|Iк, А: 3 А|h21,max: 160

• Біполярні PNP

Примітка: Виробник: Diotec|Корпус: TO-92 bent|fT: 280 MHz|Uке, В: 65 V|Uкб, В: 65 V|Iк, А: 0,1 A|h21,max: 450

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: Diotec|Корпус: TO-92 bent|fT: 300 MHz|Uceo,V: 45 V|Ucbo,V: 50 V|Ic,A: 0,1 A|h21: 200|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

• IGBT

Примітка: Виробник: China|Корпус: TO-247|Vces: 1200 V|Vce: 2,78 V|Ic 25: 45 A|Ic 100: 24 A|Pd 25: 200 W|td(on)/td(off) 100-150 град: 46/110

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: Savantic|Корпус: TO-3P|fT: 1,7 MHz|Uceo,V: 600 V|Ucbo,V: 1500 V|Ic,A: 8 A|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: JSMSEMI|Корпус: TO-220AB|Uds,V: 30 V|Idd,A: 110 A|Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm|Ciss, pF/Qg, nC: 6201/171|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: Vishay|Корпус: D-Pak (TO-252)|Uds,V: 400 V|Idd,A: 3,1 A|Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 350/20|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: VBsemi|Uds,V: 900 V|Idd,A: 15 A|Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 6100/190|Монтаж: THT

• Біполярні PNP

Примітка: Виробник: NXP|Корпус: TO-126|fT: 160 MHz|Uке, В: 60 V|Uкб, В: 60 V|Iк, А: 1,5 A|h21,max: 250

• Біполярні PNP

Примітка: Корпус: ТО-126|Uке, В: 60 V|Uкб, В: 70 V|Iк, А: 1,5 A

• Біполярні NPN

Примітка: Корпус: TO-39|fT: 50 MHz|Uceo,V: 120 V|Ucbo,V: 120 V|Ic,A: 1 A|h21: 120|Монтаж: THT