Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 2

• 120 А
• 39,5 A
• 62 A
• 188 Вт
• Infineon
• 110 н
• 17 нс
• 124 нс
• є
• IGBT

• 160 А
• 100 A
• 160 А
• 480 Вт
• 1,75 V
• 1200 V
• Infineon
• 33 нс
• 314 нс
• є
• IGBT

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 483 Вт
• 1.85 V
• є
• 180 А
• 180 А
• 152 нс
• 66 нс
• 57 н

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 117

• ST Microelectronics
• TO-247
• IGBT
• 1250 V
• 60 A
• 30 A
• 375 Вт
• 2.65 V
• 120 А
• є
• 132 нс
• 128 нс

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 114

• A&O
• TO-220FP
• IGBT
• 650 V
• 40 A
• 20 A
• 45 Вт
• 1.7 V
• 60 А
• є
• 60 А
• 122 нс
• 26 нс
• 322 н

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 46

• Toshiba
• IGBT
• 600 V
• 30 A
• 2 V
• 170 Вт
• є
• 30 нс
• 90 нс

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 40 A
• 22 A
• 2,05 V
• 220 Вт
• 68
• 80 А
• є
• 115 нс
• 42 А
• 20 нс
• 42 н

• On Semiconductor
• IGBT
• 600 V
• 60 A
• 30 A
• 2,3 V
• 176 Вт
• 37,4
• 90 А
• є
• 42,4 нс
• 6 А
• 12 нс
• 26 н

• Magnachip
• IGBT
• 650 V
• 100 A
• 50 A
• 1,65 V
• 375 Вт
• 287
• є
• 328 нс
• 58 нс

• Trinnotech
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 2,3 V
• 236 Вт
• 115
• 120 А
• є
• 85 нс
• 40 нс
• 60 н

• Silanmicro
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 2,2 V
• 321 Вт
• 179
• 180 А
• є
• 193 нс
• 36 нс
• 38 н

• On Semiconductor
• IGBT
• 1200 V
• 30 A
• 15 A
• 2,4 V
• 186 Вт
• 120
• 45 А
• є
• 160 нс
• 45 А
• 15 нс
• 330 н

• Ixys
• IGBT
• 1200 V
• 164 A
• 82 A
• 3,2 V
• 1040 Вт
• 215
• 320 А
• є
• 192 нс
• 29 нс
• 420 н

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 96 A
• 48 A
• 1,65 V
• 330 Вт
• 95
• 144 А
• є
• 145 нс
• 175 А

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 12 A
• 6 A
• 1,65 V
• 100 Вт
• 48
• 18 А
• є
• 127 нс
• SMD
• 18 А
• 12 нс
• 68 н

• On Semiconductor
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 40 A
• 2,5 V
• 349 Вт
• 119
• 120 А
• є
• 92 нс
• 120 А
• 12 нс
• 42 н

• ST Microelectronics
• IGBT
• 600 V
• 15 A
• 7 A
• 2,5 V
• 56 Вт
• 13,6
• 21 А
• є
• 76 нс
• SMD
• 12 нс
• 21 н

• Infineon
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 56 A
• 1,65 V
• 305 Вт
• 120
• є
• 180 нс
• 21 нс
• 32 н

• Infineon
• IGBT
• 1200 V
• 60 A
• 30 A
• 1,55 V
• 330 Вт
• 235
• 90 А
• є
• 330 нс
• 90 А

• Silanmicro
• IGBT
• 600 V
• 40 A
• 20 A
• 2 V
• 155 Вт
• 60 А
• є

• On Semiconductor
• IGBT
• 1200 V
• 35 A
• 17 A
• 2,45 V
• 298 Вт
• 100
• 80 А
• є
• 165 нс
• 13 нс
• 57 н

• Infineon
• IGBT
• 650 V
• 10,8 A
• 6,8 A
• 1,6 V
• 31,2 Вт
• 22
• 24 А
• є
• 116 нс
• 24 А
• 10 нс
• 41 н

• Infineon
• IGBT
• 1200 V
• 30 A
• 15 A
• 1,75 V
• 235 Вт
• 93
• 60 А
• є
• 362 нс
• 60 А
• 32 нс
• 300 н

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 65 A
• 40 A
• 1,6 V
• 250 Вт
• 50
• 72 А
• є
• 125 нс
• 96 А
• 40 нс
• 89 н